Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRLML6401TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, P-канальный, 12В, 4.3А, 1.3Вт, корпус SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
31 341 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:31 341 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 60 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,70 |
| от 500 | 10,49 |
| от 1 000 | 9,68 |
| от 1 999 | 8,97 |
| от 6 000 | 8,52 |
Описание
Транзистор полевой P-канального типа от Infineon Technologies. Компонент предназначен для коммутации нагрузок с низким напряжением и оптимизирован для работы в цепях с пониженным энергопотреблением. Благодаря малому сопротивлению открытого канала и компактному корпусу SOT-23-3 подходит для портативных устройств и схем управления питанием.
Технические характеристики
| Tf | 210ns typ |
| Tr | 32ns typ |
| Заряд обратного восстановления | 12nC max |
| TRR | 33ns max |
| Ciss | 830pF typ |
| Coss | 180pF typ |
| Crss | 125pF typ |
| IGSS | ±100nA max |
| Тип | P-Channel MOSFET |
| V sd | -1.2V max |
| Td(вкл) | 11ns typ |
| Высота | <1.1mm |
| Td(выкл) | 250ns typ |
| Тип | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (Micro3) |
| Упаковка | Tape and Reel |
| Макс. Vds | -12V |
| Макс. Vgs | ±8.0V |
| Idss 25c | -1.0μA max |
| Idss 55c | -25μA max |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 210ns |
| Ток стока импульсный | -34A |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 3 |
| Время нарастания | 32ns |
| Gate rated | 1.8V |
| Технология | HEXFET |
| Vgs порог макс. | -0.95V |
| Vgs порог мин. | -0.40V |
| Vgs(th) тип. | -0.55V |
| Описание | P-Channel MOSFET, HEXFET Power MOSFET, Ultra Low On-Resistance |
| Low profile | <1.1mm |
| Артикул | IRLML6401TRPBF |
| Без галогенов | Да |
| Количество в упаковке | 3000 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on vgs 1 8v | 0.125Ω max |
| Rds on vgs 2 5v | 0.085Ω max |
| Rds on vgs 4 5v | 0.050Ω max |
| Avalanche energy | 33mJ |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Заряд сток-затвор | 3.9nC max |
| Ток стока непрерывный 25C | -4.3A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -3.4A |
| Вх. емкость | 830pF |
| Package footprint | SOT-23 |
| Полный заряд затвора | 15nC max |
| Заряд затвор-исток | 2.1nC max |
| Выходная емкость | 180pF |
| Время задержки включения | 11ns |
| Напряжение затвор-исток | ±8.0V |
| Время задержки выключения | 250ns |
| Напряжение сток-исток | -12V |
| Импульсный ток стока | -34A |
| Напряжение, В | -12 В |
| Напр. диода | -1.2V |
| Orderable part number | IRLML6401TRPbF |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Pulsed source current | -34A |
| Заряд затвора макс. | 15nC |
| Тип. заряд затвора | 10nC |
| Gate source charge max | 2.1nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.4nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Standard pack quantity | 3000 |
| Прямая крутизна | 8.6S typ |
| Continuous source current | -1.3A |
| Макс. время обрат. восстановления | 33ns |
| Тип. время восст. | 22ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -0.95V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.40V |
| Тип. пороговое Uзи | -0.55V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Pulsed source diode current | -34A |
| Reverse recovery charge max | 12nC |
| Тип. заряд восст. | 8.0nC |
| Длительный ток стока 25°C | -4.3A |
| Continuous drain current 70c | -3.4A |
| Gate drain miller charge max | 3.9nC |
| Gate drain miller charge typ | 2.6nC |
| Обратная проходная емкость | 125pF |
| Энергия одиноч. импульса | 33mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -12V |
| Continuous source diode current | -1.3A |
| Gate source forward leakage max | -100nA |
| Gate source reverse leakage max | 100nA |
| Drain source leakage current max | -1.0μA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.007V/°C |
| Junction storage temperature range | -55 to +150°C |
| Drain source leakage current 55c max | -25μA |
| Static drain source on resistance 1 8v | 0.125Ω |
| Static drain source on resistance 2 5v | 0.085Ω |
| Static drain source on resistance 4 5v | 0.050Ω |
| Thermal resistance junction ambient max | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient typ | 75°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 75°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?