Документация
Транзистор полевой IRLML6401TRPBF / P-канал, SOT-23, 4.3А, 12В
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
21 016 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:21 016 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 25,88 |
| от 100 | 20,47 |
Описание
Транзистор полевой IRLML6401TRPBF производства Infineon представляет собой P-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на ток до 4.3 А и напряжение 12 В, что делает его подходящим для коммутации нагрузки и управления питанием в портативных устройствах. Отличается низким сопротивлением открытого канала, обеспечивая эффективное переключение в цепях с батарейным питанием.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | Micro3™ (SOT-23) |
| Макс. Vds | -12V |
| Макс. Vgs | ±8.0V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 210ns |
| Ток стока импульсный | -34A |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 32ns |
| Размеры | Low profile (<1.1mm height), SOT-23 footprint |
| Vgs порог макс. | -0.95V |
| Vgs порог мин. | -0.40V |
| Vgs(th) тип. | -0.55V |
| Артикул | IRLML6401TRPBF |
| Без галогенов | Да |
| Лента и катушка | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on vgs 1.8v | 0.125Ω |
| Rds on vgs 2.5v | 0.085Ω |
| Rds on vgs 4.5v | 0.050Ω |
| Avalanche energy | 33mJ |
| Заряд сток-затвор | 2.6nC (typ), 3.9nC (max) |
| Ток стока непрерывный 25C | -4.3A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -3.4A |
| Вх. емкость | 830pF |
| Полный заряд затвора | 10nC (typ), 15nC (max) |
| Заряд затвор-исток | 1.4nC (typ), 2.1nC (max) |
| Выходная емкость | 180pF |
| Время задержки включения | 11ns |
| Структура | P-канал |
| Время задержки выключения | 250ns |
| Напр. диода | -1.2V |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Pulsed source current | -34A |
| Время обратного восстановления | 22ns (typ), 33ns (max) |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Standard pack quantity | 3000 |
| Заряд обратного восстановления | 8.0nC (typ), 12nC (max) |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 8.6S |
| Continuous source current | -1.3A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Drain source leakage current | -1.0μA |
| Обратная проходная емкость | 125pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23, 1.3W |
| Drain source leakage current 55c | -25μA |
| Thermal resistance junction ambient max | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient typ | 75°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?