Документация
Транзисторы и сборки MOSFET IRLML6401TRPBF
У поставщика
ПроизводительINFIN
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
62 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт19,56 ₽
Сумма586,80 ₽
В наличии62 шт
от 30 штюрлицам и ИП
30 шт · Склад 39 · 586,80 ₽
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) IRLML6401TRPBF от производителя INFINEON — компактный P-канальный компонент в SMD-исполнении для поверхностного монтажа. Отличается низким сопротивлением открытого канала и логическим уровнем управления, что позволяет коммутировать нагрузку напрямую от микроконтроллеров. Применяется в цепях коммутации питания, преобразователях и портативной электронике, где важна высокая эффективность и минимальные потери.
Технические характеристики
| Тип FET | P-канал |
| Vgs (Макс.) | ±8V |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Описание | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 |
| Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id | 950mV @ 250µA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs | 50mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (Макс.) | 1.3W (Ta) |
| Корпус по производителю | Micro3™/SOT-23 |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs | 15 nC @ 5 V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds | 830 pF @ 10 V |
| Напряжение управления (Макс. Rds вкл., Мин. Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V |
| Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C | 4.3A (Ta) |
| Тип | MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?