Документация
IRLML6401, [SOT-23]; 12V 4.3A 50mR@4.5V,4.3A 1.3W 950mV@250?A P Channel MOSFETs ROHS; =IRLML6401(IN
У поставщика
ПроизводительUMW
У поставщиков
50 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:50 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 1 000 | 2,19 |
| от 10 000 | 2,13 |
Описание
P-канальный MOSFET IRLML6401 от UMW в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до 12 В и ток до 4,3 А, сопротивление открытого канала — 50 мОм при напряжении затвора 4,5 В. Рассеиваемая мощность — 1,3 Вт. Подходит для коммутации нагрузки в портативных устройствах и цепях защиты от переполюсовки.
Технические характеристики
| Маркировка | 1F |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | P-Channel |
| Компонент | IRLML6401 |
| Размеры | A: 0.900-1.150mm; B: 0.300-0.500mm; C: 0.080-0.150mm; D: 2.800-3.000mm; E: 1.200-1.400mm; L: 0.550mm ref; A1: 0.000-0.100mm; A2: 0.900-1.050mm; E1: 2.250-2.550mm; L1: 0.300-0.500mm; Θ: 0°-8°; E pitch: 0.950mm typ; E1 pitch: 1.800-2.000mm |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Avalanche energy | 33mJ |
| Заряд сток-затвор | 2.6nC typ, 3.9nC max |
| Вх. емкость | 830pF typ |
| Рассеиваемая мощность | 1.3W @25°C, 0.8W @70°C |
| Полный заряд затвора | 10nC typ, 15nC max |
| Время нарастания | 32ns typ |
| Заряд затвор-исток | 1.4nC typ, 2.1nC max |
| Выходная емкость | 180pF typ |
| Время спада | 210ns typ |
| Время задержки включения | 11ns typ |
| Структура | P-канал |
| Напряжение затвор-исток | ±8V |
| Время задержки выключения | 250ns typ |
| Напряжение сток-исток | -12V |
| Импульсный ток стока | -34A |
| Напр. диода | -1.2V typ |
| Gate threshold voltage | -0.55V typ, -0.4V min, -0.95V max |
| Continuous drain current | -4.3A @25°C, -3.4A @70°C |
| Прямая крутизна | 8.6S typ |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 125pF typ |
| Body diode continuous current | 1.3A max |
| Напряжение пробоя сток-исток | -12V |
| Zero gate voltage drain current | -1μA typ, -25μA at 55°C |
| Body diode reverse recovery time | 22ns typ, 33ns max |
| Static drain source on resistance | Vgs 1.8v id 2a: 125mΩ typ; Vgs 2.5v id 2.5a: 85mΩ typ; Vgs 4.5v id 4.3a: 50mΩ typ |
| Body diode reverse recovery charge | 8nC typ, 12nC max |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?