Документация
IRLML6401 SOT-23 MOSFET транзистор KEXIN (арт. 290338)
У поставщика
ПроизводительKEXIN
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
8 950 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:8 950 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,73 |
Описание
Транзистор IRLML6401 в корпусе SOT-23 от производителя KEXIN представляет собой P-канальный MOSFET с логическим уровнем управления. Компонент предназначен для коммутации нагрузок в цепях с низким напряжением, обеспечивая малое сопротивление открытого канала. Благодаря компактному корпусу подходит для применения в портативной электронике, DC-DC преобразователях и схемах защиты от переполюсовки.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Enhancement MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Маркировка | 1F |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Ultra low on-resistance, P-Channel MOSFET, Fast switching |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | SOT-23 standard (approx. 2.9mm x 1.6mm x 1.1mm) |
| Артикул | IRLML6401 |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Вх. емкость | 830pF |
| Время нарастания | 32ns |
| Выходная емкость | 180pF |
| Время спада | 210ns |
| Время задержки включения | 11ns |
| Напряжение затвор-исток | ±8V |
| Время задержки выключения | 250ns |
| Напряжение сток-исток | -12V |
| Импульсный ток стока | -34A |
| Напр. диода | -1.2V |
| Gate drain charge max | 3.9nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.6nC |
| Power dissipation 25C | 1.3W |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70C | 0.8W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Заряд затвора макс. | 15nC |
| Тип. заряд затвора | 10nC |
| Gate source charge max | 2.1nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.4nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±8V |
| Макс. напряжение сток-исток | -12V |
| Прямая крутизна | 8.6S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Switching test conditions | ID=-1.0A, VDS=-6.0V, RL=6Ω, RGEN=89Ω |
| Drain source on resistance | VGS=-1.8V, ID=-2A: 125 mΩ; VGS=-2.5V, ID=-2.5A: 85 mΩ; VGS=-4.5V, ID=-4.3A: 50 mΩ |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -0.95V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.4V |
| Тип. пороговое Uзи | -0.55V |
| Continuous drain current 25C | -4.3A |
| Длительный ток стока 25°C | -4.3A |
| Continuous drain current 70C | -3.4A |
| Continuous drain current 70c | -3.4A |
| Обратная проходная емкость | 125pF |
| Энергия одиноч. импульса | 33mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -12V |
| Zero gate voltage drain current | -1μA |
| Zero gate voltage drain current 55C | -25 μA |
| Body diode reverse recovery time max | 33ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 22ns |
| Maximum body diode continuous current | 1.3A |
| Body diode reverse recovery charge max | 12nC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 8nC |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Static drain source on resistance vgs 1v8 | 125mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 2v5 | 85mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4v5 | 50mΩ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?