Документация
IRLML6344TRPBF SOT-23 MOSFET транзистор HOTTECH (арт. 187954)
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
9 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:9 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,57 |
Описание
Транзистор MOSFET IRLML6344TRPBF от HOTTECH в корпусе SOT-23 — это N-канальный полевой транзистор с низким сопротивлением открытого канала. Предназначен для коммутации цепей с низким напряжением управления, что позволяет использовать его в портативной электронике и DC/DC-преобразователях. Отличается компактными размерами и высокой эффективностью переключения.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 9.1ns |
| Уровень MSL | 1 |
| Время нарастания | 5.6ns |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Тип. время спада | 9.1ns |
| Квалификация | Consumer |
| Тип. время нарастания | 5.6ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 2.4nC |
| Вх. емкость | 650pF |
| Полный заряд затвора | 6.8nC |
| Заряд затвор-исток | 0.3nC |
| Выходная емкость | 65pF |
| Время задержки включения | 4.2ns |
| Rds on max vgs 2 5v | 37mΩ |
| Rds on max vgs 4 5v | 29mΩ |
| Время задержки выключения | 22ns |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Gate leakage current | ±100nA |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Напр. диода | 1.2V |
| Drain leakage current | 1.0μA |
| Тип. входная емкость | 650pF |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Время обратного восстановления | 10ns |
| Source current pulsed | 25A |
| Тип. заряд затвора | 6.8nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.3nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Выходная емкость тип. | 65pF |
| Время задержки вкл. тип. | 4.2ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Заряд обратного восстановления | 3.8nC |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 22ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Прямая крутизна | 19S |
| Internal gate resistance | 1.7Ω |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Max power dissipation 25c | 1.3W |
| Max power dissipation 70c | 0.8W |
| Макс. время обрат. восстановления | 15ns |
| Source current continuous | 1.3A |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.1V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 0.8V |
| Gate source forward leakage | 100nA |
| Gate source reverse leakage | -100nA |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Reverse recovery charge max | 5.7nC |
| Длительный ток стока 25°C | 5.0A |
| Continuous drain current 70c | 4.0A |
| Drain source leakage current | 1.0µA |
| Forward transconductance typ | 19S |
| Gate drain miller charge typ | 2.4nC |
| Internal gate resistance typ | 1.7Ω |
| Обратная проходная емкость | 46pF |
| Drain leakage current at 125c | 150μA |
| Diode reverse recovery time max | 15ns |
| Diode reverse recovery time typ | 10ns |
| Pulsed source current body diode | 25A |
| Обр. проходная емкость тип. | 46pF |
| Diode reverse recovery charge max | 5.7nC |
| Diode reverse recovery charge typ | 3.8nC |
| Drain source leakage current 125c | 150µA |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Continuous source current body diode | 1.3A |
| Breakdown voltage temp coefficient typ | 0.02V/°C |
| Thermal resistance junction ambient short | 99°C/W |
| Junction to ambient thermal resistance max | 100°C/W |
| Junction to ambient thermal resistance 10s max | 99°C/W |
| Static drain source on resistance vgs 2 5v max | 37mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 2 5v typ | 27mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4 5v max | 29mΩ |
| Static drain source on resistance vgs 4 5v typ | 22mΩ |