Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRLML6344TRPBF, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 30В, 5А, 1.3Вт, корпус SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
35 813 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:29 413 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 46 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 15,47 |
| от 386 | 14,02 |
| от 771 | 13,03 |
| от 1 541 | 12,18 |
| от 3 000 | 11,62 |
Склад 12
В наличии:6 400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 18,63 |
| от 100 | 14,74 |
Описание
Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, выполненный в миниатюрном корпусе SOT-23-3. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность в цепях управления питанием. Предназначен для применения в DC/DC-преобразователях, нагрузочных ключах и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Ток | 3.4 А |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Особенности | Low RDS(on), Industry-standard SOT-23, RoHS compliant, MSL1, Consumer Qualification |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | 25A |
| Уровень MSL | 1 |
| Pd макс. 25°C | 1.3W |
| Pd max 70c | 0.8W |
| Применение | Load/System Switch |
| Артикул | IRLML6344TRPBF |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Тип. время спада | 9.1ns |
| Тип. время нарастания | 5.6ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Base part number | IRLML6344 |
| Мощность | 1.3 Вт |
| Ток стока непрерывный 25C | 5.0A |
| Непрерывный ток стока 70°C | 4.0A |
| Макс. пороговое Vgs | 1.1V |
| Мин. пороговое Vgs | 0.5V |
| Vgs threshold typ | 0.8V |
| Rds on max vgs 2 5v | 37mΩ |
| Rds on max vgs 4 5v | 29mΩ |
| Rds on typ vgs 2 5v | 27mΩ |
| Rds on typ vgs 4 5v | 22mΩ |
| Напряжение | 30 В |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.4nC |
| Тип. входная емкость | 650pF |
| Orderable part number | IRLML6344TRPbF |
| Тип. заряд затвора | 6.8nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.3nC |
| Выходная емкость тип. | 65pF |
| Standard pack quantity | 3000 |
| Время задержки вкл. тип. | 4.2ns |
| Время задержки выкл. тип. | 22ns |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Макс. время обрат. восстановления | 15ns |
| Тип. время восст. | 10ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Vds breakdown voltage min | 30V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Reverse recovery charge max | 5.7nC |
| Тип. заряд восст. | 3.8nC |
| Forward transconductance typ | 19S |
| Обр. проходная емкость тип. | 46pF |
| Pulsed source current body diode max | 25A |
| Continuous source current body diode max | 1.3A |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient t less 10s typ | 99°C/W |