Документация
Транзистор полевой IRLML6344TRPBF
У поставщика
У поставщиков
57 431 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт18,09 ₽
Сумма904,50 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии51 031 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 317 — 16,50 ₽ (−9%)
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии6 400 шт
от 1 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 1 000 штпри 1 000 — 15,79 ₽
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 904,50 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 395,50 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 904,50 ₽
Описание
Полевой транзистор Infineon IRLML6344TRPBF выполнен в компактном корпусе SOT-23. Он рассчитан на ток до 3,4 А и напряжение до 30 В, отличается низким сопротивлением открытого канала. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| MSL | MSL1 |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Тип FET | N-канальный |
| Тип монтажа | SMD |
| Vgs (Макс.) | ±12V |
| Время спада | 9.1ns typ |
| Упаковка | Tape and Reel, 3000 |
| Время нарастания | 5.6ns typ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Описание | HEXFET Power MOSFET, N-Channel |
| Артикул | IRLML6344TRPBF |
| Применение | Load/System Switch |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Соотв. RoHS | Да |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23 |
| Заряд сток-затвор | 2.4nC typ |
| Вх. емкость | 650pF typ |
| Полный заряд затвора | 6.8nC typ |
| Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id | 1.1V @ 10µA |
| Заряд затвор-исток | 0.3nC typ |
| Выходная емкость | 65pF typ |
| Время задержки включения | 4.2ns typ |
| Время задержки выключения | 22ns typ |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напр. диода | 1.2V max |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.8W |
| Время обратного восстановления | 10ns typ, 15ns max |
| Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 4.5V |
| Пороговое напряжение затвора | 0.5V min, 0.8V typ, 1.1V max |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Рассеиваемая мощность (Макс.) | 1.3W (Ta) |
| Корпус по производителю | Micro3™/SOT-23 |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Заряд обратного восстановления | 3.8nC typ, 5.7nC max |
| Прямая крутизна | 19S min |
| Внутреннее сопротивление затвора | 1.7Ω typ |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs | 6.8 nC @ 4.5 V |
| Длительный ток стока 25°C | 5.0A |
| Непрерывный ток стока, 70 °C | 4.0A |
| Обратная проходная емкость | 46pF typ |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 1.0μA max (VDS=24V, VGS=0V) |
| Импульсный ток истока, диод тела | 25A max |
| Ток утечки сток-исток, 125 °C | 150μA max (VDS=24V, VGS=0V, TJ=125°C) |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA max (VGS=12V) |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA max (VGS=-12V) |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds | 650 pF @ 25 V |
| Длительный ток истока через диод | 1.3A max |
| Напряжение управления (Макс. Rds вкл., Мин. Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C | 5A (Ta) |
| Темп. коэфф. напряжения пробоя | 0.02V/°C |
| Статическое сопротивление сток-исток, Vgs 2,5 В | 27mΩ typ, 37mΩ max |
| Статическое сопротивление сток-исток, Vgs 4,5 В | 22mΩ typ, 29mΩ max |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда, t<10 с | 99°C/W |
| Напряжение, В | 30 |
| Ток, А | 5 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?