Документация
IRLML6344TR, транзистор N канал 30В 5А Micro3/SOT23 = IRLML6344TRPBF
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
5 000 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:5 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,32 |
| от 500 | 7,35 |
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-236 (SOT-23) |
| Особенности | Halogen-free according to IEC 61249-2-21, RoHS compliant, TrenchFET Power MOSFET, 100% Rg tested |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 22ns (VGEN=4.5V), 5ns (VGEN=10V) |
| Время нарастания | 50ns (VGEN=4.5V), 12ns (VGEN=10V) |
| Ширина корпуса | 2.10-2.64mm |
| Шаг выводов | 0.95mm BSC |
| Высота корпуса | 0.89-1.12mm |
| Длина корпуса | 2.80-3.04mm |
| Применение | DC/DC Converter |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Gate resistance | 0.8-8.8Ω |
| Gate charge total | 4.5nC typ (VGS=10V), 2.1nC typ (VGS=4.5V) |
| Заряд сток-затвор | 0.65nC |
| Вх. емкость | 335pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.7W (TC=25°C), 1.1W (TA=25°C), 0.7W (TA=70°C) |
| Threshold voltage | 0.7-2.0V |
| Заряд затвор-исток | 0.85nC |
| Выходная емкость | 45pF |
| Время задержки включения | 12ns (VGEN=4.5V), 5ns (VGEN=10V) |
| Структура | N-канал |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 12ns (VGEN=4.5V), 10ns (VGEN=10V) |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Время обратного восстановления | 10-20ns |
| Заряд обратного восстановления | 5-10nC |
| Continuous drain current | 6.5A (TC=25°C), 6.0A (TC=70°C), 5.3A (TA=25°C), 5.0A (TA=70°C) |
| Прямая крутизна | 11S |
| Body diode pulsed current | 15A |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Body diode forward voltage | 0.8V typ, 1.2V max |
| Drain source on resistance | 0.030Ω at VGS=10V, 0.033Ω at VGS=4.5V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 17pF |
| Body diode continuous current | 1.4A (TC=25°C) |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Zero gate voltage drain current | 1µA (25°C), 10µA (55°C) |
| Thermal resistance junction to foot | 60°C/W typical, 75°C/W max |
| Термосопротивление переход-среда | 90°C/W typical, 115°C/W max (t≤5s) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |