Документация
IRLML6344, [Micro3/SOT23] транзистор N канал 30В 5А = IRLML6344TRPBF
У поставщика
ПроизводительUMW
У поставщиков
1 300 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 300 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,14 |
| от 500 | 3,23 |
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Маркировка | UMW R IRLML6344 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 9.1ns typ |
| Шаг выводов | 0.950mm typ |
| Время нарастания | 5.6ns typ |
| Артикул | IRLML6344 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Ширина корпуса | 1.200-1.400mm |
| Высота корпуса | 0.900-1.150mm |
| Длина корпуса | 2.800-3.000mm |
| R ds on vgs 2 5v | 37mΩ max (typ 27mΩ) |
| R ds on vgs 4 5v | 29mΩ max (typ 22mΩ) |
| Заряд сток-затвор | 2.4nC typ |
| Вх. емкость | 650pF typ |
| Полный заряд затвора | 6.8nC typ |
| Заряд затвор-исток | 0.3nC typ |
| Выходная емкость | 65pF typ |
| Время задержки включения | 4.2ns typ |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 22ns typ |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Напр. диода | 1.2V max at 5A |
| Время обратного восстановления | 10ns typ, 15ns max |
| Gate threshold voltage | 0.5-1.1V (typ 0.8V) |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Заряд обратного восстановления | 3.8nC typ, 5.7nC max |
| Прямая крутизна | 19S typ |
| Internal gate resistance | 1.7Ω typ |
| Max power dissipation 25c | 1.3W |
| Max power dissipation 70c | 0.8W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA max |
| Обратный ток утечки затвор-исток | 100nA max |
| Длительный ток стока 25°C | 5.0A |
| Continuous drain current 70c | 4.0A |
| Drain source leakage current | 1.0μA max at 25°C, 150μA max at 125°C |
| Обратная проходная емкость | 46pF typ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V min |
| Pulsed source current body diode | 25A max |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.02 V/°C |
| Continuous source current body diode | 1.3A max |
| Термосопротивление переход-среда | 100 °C/W |
| Thermal resistance junction to ambient t less 10s | 99 °C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |