+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRLML6344
Документация

Транзистор полевой IRLML6344

Артикул:150878
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
Ед. изм.шт
У поставщиков
73 334 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 14
В наличии:63 817 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 3 0001,95
Склад 13
В наличии:6 117 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 224 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 13,09
от 1 5052,60
от 3 0002,27
от 9 0001,99
от 15 0001,85
Склад 12
В наличии:3 400 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 14,42
от 1004,42
Описание

Транзистор полевой IRLML6344 от HOTTECH — это N-канальный MOSFET, предназначенный для коммутации цепей с низким напряжением. Модель отличается малым сопротивлением открытого канала и низким пороговым напряжением, что обеспечивает эффективную работу в компактных устройствах. Применяется в DC-DC преобразователях, системах управления питанием и портативной электронике.

Технические характеристики
ТипMOSFET
Ток3.4 А
КомпонентIRLML6344
Уровень MSL1
Тип упаковкиSOT-23
КорпусSOT-23
МонтажSMD
Тип. время спада9.1ns
Тип монтажаSMD
Тип. время нарастания5.6ns
Соотв. RoHSДа
Мощность1.3 Вт
Импульсный ток стока25A
Напряжение30 В
Тип. заряд затвор-сток2.4nC
Тип. входная емкость650pF
Тип. заряд затвора6.8nC
Тип. заряд затвор-исток0.3nC
Коэффициент снижения мощности0.01W/°C
Выходная емкость тип.65pF
Время задержки вкл. тип.4.2ns
Напряжение затвор-исток макс.±12V
Время задержки выкл. тип.22ns
Макс. напряжение сток-исток30V
Прямая крутизна19S
Gate leakage current max100nA
Напр. диода макс.1.2V
Max power dissipation 25c1.3W
Max power dissipation 70c0.8W
Макс. время обрат. восстановления15ns
Тип. время восст.10ns
Диап. темп. хр.-55 to +150°C
Пороговое напряжение затвора макс.1.1V
Пороговое напряжение затвора мин.0.5V
Тип. пороговое Uзи0.8V
Диапазон темп. перехода-55 to +150°C
Reverse recovery charge max5.7nC
Тип. заряд восст.3.8nC
Длительный ток стока 25°C5.0A
Continuous drain current 70c4.0A
Internal gate resistance typ1.7Ω
Diode pulsed source current max25A
Drain source leakage current max1.0μA
Gate leakage current reverse max-100nA
Обр. проходная емкость тип.46pF
Drain source on resistance max 2v537mΩ
Drain source on resistance max 4v529mΩ
Diode continuous source current max1.3A
Drain source leakage current 125c max150μA
Thermal resistance junction ambient max100°C/W
Thermal resistance junction ambient t lt 10s max99°C/W