Документация
Транзистор IRLML6246TRPBF
У поставщика
У поставщиков
36 832 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт18,01 ₽
Сумма900,50 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии36 832 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 174 — 16,31 ₽ (−9%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 900,50 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 399,50 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 900,50 ₽
Описание
Транзистор IRLML6246TRPBF от Infineon — это мощный N-канальный MOSFET, выполненный в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа. Относится к серии StrongIRFET, оптимизированной для низкого сопротивления открытого канала и высокой эффективности переключения. Применяется в DC/DC-преобразователях, системах управления питанием и нагрузочных ключах, где важна компактность и малые потери.
Технические характеристики
| Tf | 6.0ns |
| Tr | 4.9ns |
| Заряд затвор-сток | 1.7nC |
| Заряд затвор-исток | 0.26nC |
| Заряд обратного восстановления | 2.8nC |
| TRR | 8.6ns |
| Ciss | 290pF |
| Coss | 64pF |
| Crss | 41pF |
| RthJA | 100°C/W |
| Td(вкл) | 3.6ns |
| Рассеиваемая мощность при 25°C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.8W |
| Td(выкл) | 11ns |
| Крутизна gfs, мин. | 10S |
| Корпус | Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) |
| Макс. Vds | 20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Vsd макс. | 1.2V |
| Idss макс. | 1.0μA |
| Тип монтажа | SMD |
| Общий заряд затвора | 3.5nC |
| Ток стока импульсный | 16A |
| Без свинца | Да |
| Импульсный ток сток-исток | 16A |
| Vgs порог макс. | 1.1V |
| Vgs порог мин. | 0.5V |
| Vgs(th) тип. | 0.8V |
| Описание | HEXFET силовой MOSFET |
| Артикул | IRLML6246TRPbF |
| Внутреннее сопротивление затвора | 4.0Ω |
| Мин. напряжение пробоя VBR(DSS) | 20V |
| Без галогенов | Да |
| Непрерывный | 1.3A |
| Диапазон температуры перехода и хранения | -55 to +150°C |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда при t < 10 с | 99°C/W |
| Idss max tj 55c | 10μA |
| Idss max tj 125c | 150μA |
| IGSS прямой, макс. | 100nA |
| IGSS обратный, макс. | -100nA |
| Описание | MOSFETs MOSFT 20V 4.1A 46mOhm 2.5V cpbl |
| Ток стока непрерывный 25C | 4.1A |
| Непрерывный ток стока 70°C | 3.3A |
| Температурный коэффициент V(BR)DSS | 0.03V/°C |
| Макс. Rds(on) при Vgs 2.5 В | 66mΩ |
| RDS(on), макс. при VGS 4,5 В | 46mΩ |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Напряжение, В | 20 |
| Ток, А | 4,1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?