+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRLML6244TRPBF
Документация

IRLML6244TRPBF, [Micro3/SOT23] транзистор N канал 20В 6.3А лог

Артикул:1207158
У поставщика
ПроизводительTRR
У поставщиков
6 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:6 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 15,18
от 5003,51
Технические характеристики
КорпусSOT-23 (TO-236)
Тип монтажаSMD
Время спада9.2ns (typ)
Время нарастания34ns (typ)
РазмерыA: 0.89-1.12mm; D: 2.80-3.04mm; E: 2.10-2.64mm; L: 0.40-0.60mm; S: 0.50mm (Ref); B: 0.35-0.50mm; C: 0.085-0.18mm; E: 0.95mm (BSC); Q: 3°-8°; A1: 0.01-0.10mm; A2: 0.88-1.02mm; E1: 1.20-1.40mm; L1: 0.64mm (Ref); E1: 1.90mm (BSC)
ОписаниеN-Ch 20V Fast Switching MOSFET, high cell density trenched
АртикулIRLML2264TRPBF
Green deviceДа
КорпусSOT-23-3
Соотв. RoHSДа
Заряд сток-затвор2.3nC (typ)
Вх. емкость670pF (typ)
Количество выводов корпуса3
Заряд затвор-исток1.37nC (typ)
Выходная емкость75pF (typ)
Время задержки включения5.2ns (typ)
Время задержки выключения23ns (typ)
Drain current pulsed17A
Напр. диода1.2V (max at 1A)
Мощн. рас. 25°C1W
Power dissipation 70c0.66W
Pulsed source current17A
Voltage gate source max±12V
Voltage drain source max20V
Continuous source current6A
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Gate charge total vgs 4.5v8.6nC (typ)
Пороговое напряжение затвора макс.1.0V
Пороговое напряжение затвора мин.0.35V
Диапазон темп. перехода-55 to 150°C
Recommended pad dimensionsДлина: 0.97in (2.459mm); Outer width: 0.022in (0.559mm); Pad spacing: 0.037in (0.950mm); Width center: 0.053in (1.341mm)
Drain current continuous 25c6A
Drain current continuous 70c5A
Обратная проходная емкость68pF (typ)
Drain source on resistance vgs 1.8v50mΩ (max), 40mΩ (typ)
Drain source on resistance vgs 2.5v35mΩ (max), 28mΩ (typ)
Drain source on resistance vgs 4.5v26mΩ (max), 21mΩ (typ)
Тепловое сопротивление переход-среда120°C/W
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6.3