Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRLML6244TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 20В, 1.3Вт, корпус SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
6 000 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт9,02 ₽
Сумма28 864,00 ₽
В наличии6 000 шт
от 3 200 штюрлицам и ИП
3 200 шт · Склад 12 · 28 864,00 ₽
Описание
Полевой транзистор (MOSFET) N-канального типа от Infineon Technologies. Компонент рассчитан на напряжение 20 В и мощность рассеивания 1,3 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23-3. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокой эффективности, модель IRLML6244TRPBF оптимизирована для применения в схемах управления питанием, DC/DC-преобразователях и нагрузочных ключах.
Технические характеристики
| Время спада, t_f | 12ns |
| Время нарастания | 7.5ns |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 4.4nC |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 0.68nC |
| Напряжение сток-исток | 20V |
| Входная ёмкость | 700pF |
| Выходная ёмкость | 140pF |
| Проходная ёмкость | 98pF |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда | 100°C/W |
| Задержка включения | 4.9ns |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 4.8 А |
| Крутизна gfs, мин. | 17S |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Время выключения, t_d_off | 19ns |
| T j stg | -55 to +150°C |
| Тип монтажа | SMD |
| Заряд обратного восстановления, макс. | 7.7nC |
| Тип. обратный заряд | 5.1nC |
| Обратное время восстановления, макс. | 18ns |
| Время обратного восстановления, тип. | 12ns |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±12V |
| Напряжение насыщения VSD, макс. | 1.2V |
| Ток утечки сток-исток IDSS, макс. | 1.0μA |
| Без свинца | Да |
| Общий заряд затвора | 8.9nC |
| P d ta 25c | 1.3W |
| P d ta 70c | 0.80W |
| Описание | HEXFET силовой MOSFET |
| Импульсный ток Idm | 32A |
| Импульсный ток истока | 32A |
| Артикул | IRLML6244TRPbF |
| Макс. пороговое напряжение затвор-исток | 1.1V |
| Мин. пороговое напряжение затвор-исток | 0.5V |
| Пороговое напряжение V(GS), тип. | 0.9V |
| Без галогенов | Да |
| Внутреннее сопротивление затвора | 1.7Ω |
| Напряжение пробоя сток-исток, мин. | 20V |
| Dv br dss dt j | 7.8mV/°C |
| Ток утечки сток-исток, макс. при 125 °C | 150μA |
| Непрерывный ток истока | 1.3A |
| Соотв. RoHS | Да |
| R thja t lt 10s | 99°C/W |
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Макс. прямой ток утечки затвора | 100nA |
| Макс. обратный ток утечки затвора | -100nA |
| RDS(on) при VGS 2,5 В, макс. | 27.0mΩ |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 21.0mΩ |
| RDS(on) при VGS 2,5 В, тип. | 22.0mΩ |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В, тип. | 16.0mΩ |
| Напряжение, В | 20 В |
| I d continuous ta 25c | 6.3A |
| I d continuous ta 70c | 5.1A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?