Документация
Транзистор полевой IRLML6244TRPBF / N-канал, SOT-23, 6.3А, 20В
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
81 250 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт12,55 ₽
Сумма1 255,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии81 250 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 482 — 11,27 ₽ (−10%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 255,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 045,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 255,00 ₽
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) N-канального типа от производителя Infineon. Выполнен в компактном корпусе SOT-23, рассчитан на ток до 6.3 А и напряжение 20 В. Предназначен для применения в цепях управления питанием, DC/DC-преобразователях и коммутации нагрузки в портативных устройствах. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность работы.
Технические характеристики
| Время спада, t_f | 12ns |
| Время нарастания | 7.5ns |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 4.4nC |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 0.68nC |
| Напряжение сток-исток | 20V |
| Входная ёмкость | 700pF |
| Выходная ёмкость | 140pF |
| Проходная ёмкость | 98pF |
| Задержка включения | 4.9ns |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Время выключения, t_d_off | 19ns |
| Тип монтажа | SMD |
| Заряд обратного восстановления, макс. | 7.7nC |
| Тип. обратный заряд | 5.1nC |
| Обратное время восстановления, макс. | 18ns |
| Время обратного восстановления, тип. | 12ns |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±12V |
| Напряжение насыщения VSD, макс. | 1.2V |
| Ток утечки сток-исток IDSS, макс. | 1.0μA |
| Без свинца | Да |
| Общий заряд затвора | 8.9nC |
| Описание | HEXFET силовой MOSFET |
| Артикул | IRLML6244TRPbF |
| Тип канала | N-канальный |
| Без галогенов | Да |
| Напряжение пробоя сток-исток, мин. | 20V |
| Соотв. RoHS | Да |
| Макс. ток Idss при Tj 125 °C | 150μA |
| Макс. прямой ток утечки затвора | 100nA |
| Макс. обратный ток утечки затвора | -100nA |
| V gs threshold max | 1.1V |
| V gs threshold min | 0.5V |
| V gs threshold typ | 0.9V |
| Импульсный ток стока | 32A |
| RDS(on) при VGS 2,5 В, макс. | 27.0mΩ |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 21.0mΩ |
| RDS(on) при VGS 2,5 В, тип. | 22.0mΩ |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В, тип. | 16.0mΩ |
| Импульсный ток истока | 32A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Внутреннее сопротивление затвора | 1.7Ω |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.80W |
| Длительный ток истока | 1.3A |
| Температурный коэффициент напряжения пробоя сток-исток | 7.8mV/°C |
| Диапазон температур хранения перехода | -55 to +150°C |
| Мин. прямая крутизна | 17S |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 20V 6.3A, 1.3W |
| Длительный ток стока при Ta 25 °C | 6.3A |
| Длительный ток стока при Ta 70 °C | 5.1A |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда t < 10 с | 99°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?