Документация
Транзисторы / Транзисторы смд / Транзистор IRLML6244 / IRLML6244TRPBF INFINEON, GM2300D KLS, / SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
50 154 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:49 779 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,25 |
| от 925 | 3,48 |
| от 1 550 | 3,06 |
| от 2 625 | 2,72 |
| от 4 375 | 2,49 |
Склад 14
В наличии:335 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 2,42 |
Склад 13
В наличии:23 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 46 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,30 |
| от 262 | 3,82 |
| от 524 | 3,40 |
| от 1 048 | 3,06 |
| от 2 095 | 2,82 |
Склад 12
В наличии:17 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,21 |
| от 1 000 | 4,16 |
| от 10 000 | 2,76 |
Описание
Транзистор IRLML6244 производства HOTTECH (аналог INFINEON IRLML6244TRPBF) — это N-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-23. Компонент предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях с низким напряжением. Отличается малым сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность в импульсных преобразователях и DC/DC-схемах.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Вес | 0.008g |
| Тип | MOSFET |
| Маркировка | S8VHV |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | IRLML6244 |
| Размеры | Ширина: 1.2-1.4mm; Высота: 0.9-1.15mm; Длина: 2.8-3.0mm; Lead span: 1.8-2.0mm; Ширина корпуса: 2.25-2.55mm; Шаг выводов: 0.95mm typ |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Мощность | 1.25 Вт |
| Напряжение пробоя | 20V |
| Заряд сток-затвор | 4.4nC |
| Вх. емкость | 700pF |
| Полный заряд затвора | 8.9nC |
| Время нарастания | 7.5ns |
| Заряд затвор-исток | 0.68nC |
| Выходная емкость | 140pF |
| Время спада | 12ns |
| Время задержки включения | 4.9ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Напряжение сток-исток | 20V |
| Импульсный ток стока | 32A |
| Напряжение | 20 В |
| Напр. диода | 1.2V |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Время обратного восстановления | 12ns typ, 18ns max |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Заряд обратного восстановления | 5.1nC typ, 7.7nC max |
| Прямая крутизна | 8S |
| Internal gate resistance | 1.7Ω |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.1V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 0.9V |
| Уровень чувствительности к влаге | Level 1 |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Длительный ток стока 25°C | 6.3A |
| Continuous drain current 70c | 5.1A |
| Обратная проходная емкость | 98pF |
| Drain source on resistance vgs 2 5v | 29mΩ max (typ 22mΩ) |
| Drain source on resistance vgs 4 5v | 21mΩ max (typ 16mΩ) |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1μA |
| Zero gate voltage drain current 125c | 150μA |
| Термосопротивление переход-среда | 100 °C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?