Документация
Транзисторы / Транзисторы смд / Транзистор IRLML6244 / IRLML6244TRPBF INFINEON, GM2300D KLS, / SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
69 146 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт4,17 ₽
дешевле всех
Сумма834,00 ₽
В наличии39 683 шт
от 200 штюрлицам и ИП
от 925 — 3,42 ₽ (−18%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт4,58 ₽
Сумма916,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии29 268 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 610 — 3,91 ₽ (−15%)
200 шт · Склад 39 · 834,00 ₽
Описание
Транзистор IRLML6244 производства HOTTECH (аналог INFINEON IRLML6244TRPBF) — это N-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-23. Компонент предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях с низким напряжением. Отличается малым сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность в импульсных преобразователях и DC/DC-схемах.
Технические характеристики
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Вес | 0.008g |
| Тип | MOSFET |
| Маркировка | S8VHV |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | IRLML6244 |
| Размеры | Ширина: 1.2-1.4mm; Высота: 0.9-1.15mm; Длина: 2.8-3.0mm; Размах выводов: 1.8-2.0mm; Ширина корпуса: 2.25-2.55mm; Шаг выводов: 0.95mm typ |
| Артикул | IRLML6244 |
| Материал корпуса | литой пластик, UL 94V-0 |
| Лента и катушка | Reel dimensions 7 inch: D: Ø178±2mm; G: R78±1mm; H: R25.60±1mm; I: R6.50±1mm; D1: 54.40±1mm; D2: 13.00±1mm; W1: 9.50±1mm; W2: 12.30±1mm; Carrier tape dimensions: A: 3.15±0.1mm; B: 2.77±0.1mm; C: 1.22±0.1mm; D: Ø1.50±0.1mm; E: 1.75±0.1mm; F: 3.50±0.1mm; P: 4.00±0.1mm; Мощность: 8.00±0.1mm; P0: 4.00±0.1mm; P1: 2.00±0.1mm |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Напряжение пробоя | 20V |
| Заряд сток-затвор | 4.4nC |
| Вх. емкость | 700pF |
| Полный заряд затвора | 8.9nC |
| Время нарастания | 7.5ns |
| Заряд затвор-исток | 0.68nC |
| Выходная емкость | 140pF |
| Время спада | 12ns |
| Время задержки включения | 4.9ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Напряжение сток-исток | 20V |
| Чувствит. к влаге | Level 1 per J-STD-020 |
| Рассеиваемая мощность Pd | 1.3W (TA=25°C), 0.8W (TA=70°C) |
| Импульсный ток стока | 32A |
| Общий заряд затвора (Qg) | 8.9nC |
| Время нарастания при включении (tr) | 7.5ns |
| Напряжение, В | 20 В |
| Напр. диода | 1.2V |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 4.4nC |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.8W |
| Время обратного восстановления | 12ns typ, 18ns max |
| Время спада при выключении (tf) | 12ns |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 0.68nC |
| Входная ёмкость Ciss | 700pF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Напряжение затвор-исток, В | ±12V |
| Выходная ёмкость Coss | 140pF |
| Заряд обратного восстановления | 5.1nC typ, 7.7nC max |
| Напряжение сток-исток, В | 20V |
| Прямая крутизна | 8S |
| Внутреннее сопротивление затвора | 1.7Ω |
| Импульсный ток стока | 32A |
| Задержка включения (td on) | 4.9ns |
| Прямое напряжение диода, В | 1.2V |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100nA |
| Время обратного восстановления | 12ns typ, 18ns max |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.1V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.5V |
| Тип. пороговое Uзи | 0.9V |
| Уровень чувствительности к влаге | Уровень 1 |
| Задержка выключения | 19ns |
| Длительный ток стока | 6.3A (TA=25°C), 5.1A (TA=70°C) |
| Internal gate resistance rg | 1.7Ω |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Заряд обратного восстановления, Qrr | 5.1nC typ, 7.7nC max |
| Длительный ток стока 25°C | 6.3A |
| Непрерывный ток стока, 70 °C | 5.1A |
| Прямая крутизна (gfs) | 8S |
| Обратная проходная емкость | 98pF |
| Пороговое напряжение затвора (Vgs th) | 0.5V min, 0.9V typ, 1.1V max |
| Ток утечки затвор-подложка (IGSS) | ±100nA |
| Drain source on resistance rds on | 16mΩ typ, 21mΩ max @VGS=4.5V, ID=6.3A; 22mΩ typ, 29mΩ max @VGS=2.5V, ID=5.1A |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 98pF |
| Diode forward current body diode is | 1.3A |
| Drain source on resistance vgs 2 5v | 29mΩ max (typ 22mΩ) |
| Сопротивление сток-исток при Vgs 4,5 В | 21mΩ max (typ 16mΩ) |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора, 25 °C | 1μA |
| Pulsed source current body diode ism | 32A |
| Ток стока при нулевом затворе, 125 °C | 150μA |
| Ток стока при нулевом затворе IDSS | 1μA (VDS=16V, VGS=0V), 150μA (VDS=16V, VGS=0V, Tj=125°C) |
| Напряжение пробоя сток-исток (VBR DSS) | 20V |
| Термосопротивление переход-среда | 100 °C/W |
| Storage and junction temperature tj tstg | -55~+150 °C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100 °C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?