Документация
IRLML5203TRPBF-VB, транзистор P канал A -5.6 V-30 (SOT23-3)
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
10 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:10 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,32 |
| от 1 000 | 6,70 |
| от 10 000 | 4,80 |
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Макс. Vds | -30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Особенности | Trench Power MOSFET, 100% Rg tested, For Mobile Computing, Load Switch, Notebook Adaptor Switch, DC/DC Converter |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | IRLML5203TRPBF-VB |
| Rds on vgs6 | 0.049Ω (VGS=-6V, ID=-4A) |
| Rds on vgs10 | 0.046Ω (VGS=-10V, ID=-4.4A) |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Rds on vgs4 5 | 0.054Ω (VGS=-4.5V, ID=-3.6A) |
| Fall time vgs10 | 6ns typ, 12ns max |
| Gate resistance | 1.5Ω typ, 15.4Ω max |
| Rise time vgs10 | 4ns typ, 8ns max |
| Dimensions pitch | 0.95mm (ref) |
| Fall time vgs4 5 | 10ns typ, 20ns max |
| Rise time vgs4 5 | 16ns typ, 24ns max |
| Высота | 0.89mm to 1.12mm |
| Вх. емкость | 1295pF |
| Выходная емкость | 150pF |
| Структура | P-канал |
| Импульсный ток стока | -18A (100µs) |
| Ширина корпуса | 1.20mm to 1.40mm |
| Dimensions lead width | 0.35mm to 0.50mm |
| Gate charge max vgs10 | 36nC |
| Gate charge typ vgs10 | 24nC |
| Длина корпуса | 2.80mm to 3.04mm |
| Dimensions lead length | 0.40mm to 0.60mm |
| Gate charge typ vgs4 5 | 11.4nC |
| Gate threshold voltage | -0.5V to -2.0V |
| Power dissipation ta25 | 1.25W |
| Power dissipation ta70 | 0.8W |
| Power dissipation tc25 | 2.5W |
| Power dissipation tc70 | 1.6W |
| Dimensions overall width | 2.10mm to 2.64mm |
| Turn on delay time vgs10 | 13ns typ, 20ns max |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Turn off delay time vgs10 | 38ns typ, 57ns max |
| Turn on delay time vgs4 5 | 28ns typ, 42ns max |
| Body diode forward voltage | -0.8V to -1.2V (IS=-4.3A) |
| Turn off delay time vgs4 5 | 30ns typ, 45ns max |
| Обратная проходная емкость | 130pF |
| Continuous drain current ta25 | -5.4A |
| Continuous drain current ta70 | -4.3A |
| Continuous drain current tc25 | -5.6A |
| Continuous drain current tc70 | -5.1A |
| Body diode reverse recovery time | 15ns typ, 23ns max |
| Body diode reverse recovery charge | 7nC typ, 14nC max |
| Thermal resistance junction to foot | 40°C/W typ, 50°C/W max |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Continuous source drain diode current ta25 | -1A |
| Continuous source drain diode current tc25 | -2.1A |
| Thermal resistance junction to ambient t5s | 75°C/W typ, 100°C/W max |
| Thermal resistance junction to ambient steady | 166°C/W max |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 5.6 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 |