Документация
IRLML5203TRPBF-VB, транзистор P канал A -5.6 V-30 (SOT23-3)
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
19 176 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт4,11 ₽
Сумма822,00 ₽
В наличии9 176 шт
от 200 штюрлицам и ИП
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии10 000 шт
от 10 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 10 000 штпри 10 000 — 5,13 ₽
200 шт · Склад 39 · 822,00 ₽
Описание
Транзистор IRLML5203TRPBF-VB от VBSEMI — P-канальный MOSFET в корпусе SOT-23-3. Работает при напряжении до -30 В и токе до -4,4 А, сопротивление открытого канала — от 46 мОм. Подходит для управления нагрузкой, преобразователей DC/DC и адаптеров в мобильной и портативной технике.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Макс. Vds | -30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Особенности | Trench Power MOSFET, 100% Rg tested, For Mobile Computing, Load Switch, Notebook Adaptor Switch, DC/DC Converter |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | IRLML5203TRPBF-VB |
| Rds on vgs6 | 0.049Ω (VGS=-6V, ID=-4A) |
| Rds on vgs10 | 0.046Ω (VGS=-10V, ID=-4.4A) |
| Rds on vgs4 5 | 0.054Ω (VGS=-4.5V, ID=-3.6A) |
| Fall time vgs10 | 6ns typ, 12ns max |
| Сопротивление затвора | 1.5Ω typ, 15.4Ω max |
| Rise time vgs10 | 4ns typ, 8ns max |
| Шаг выводов | 0.95mm (ref) |
| Fall time vgs4 5 | 10ns typ, 20ns max |
| Rise time vgs4 5 | 16ns typ, 24ns max |
| Высота | 0.89mm to 1.12mm |
| Вх. емкость | 1295pF |
| Выходная емкость | 150pF |
| Структура | P-канал |
| Импульсный ток стока | -18A (100µs) |
| Ширина корпуса | 1.20mm to 1.40mm |
| Dimensions lead width | 0.35mm to 0.50mm |
| Gate charge max vgs10 | 36nC |
| Gate charge typ vgs10 | 24nC |
| Длина корпуса | 2.80mm to 3.04mm |
| Длина выводов | 0.40mm to 0.60mm |
| Gate charge typ vgs4 5 | 11.4nC |
| Пороговое напряжение затвора | -0.5V to -2.0V |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.25W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.8W |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 2.5W |
| Рассеиваемая мощность при Tc 70 °C | 1.6W |
| Габаритная ширина | 2.10mm to 2.64mm |
| Turn on delay time vgs10 | 13ns typ, 20ns max |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Turn off delay time vgs10 | 38ns typ, 57ns max |
| Turn on delay time vgs4 5 | 28ns typ, 42ns max |
| Прямое напряжение диода тела | -0.8V to -1.2V (IS=-4.3A) |
| Turn off delay time vgs4 5 | 30ns typ, 45ns max |
| Обратная проходная емкость | 130pF |
| Непрерывный ток стока, Ta 25 °C | -5.4A |
| Непрерывный ток стока, Ta 70 °C | -4.3A |
| Непрерывный ток стока, TC=25°C | -5.6A |
| Длительный ток стока при Tc=70°C | -5.1A |
| Время обратного восстановления диода | 15ns typ, 23ns max |
| Заряд обратного восстановления диода | 7nC typ, 14nC max |
| Тепловое сопротивление переход-основание | 40°C/W typ, 50°C/W max |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Длительный ток диода сток-исток, 25 °C | -1A |
| Длительный ток диода сток-исток, 25 °C | -2.1A |
| Thermal resistance junction to ambient t5s | 75°C/W typ, 100°C/W max |
| Thermal resistance junction to ambient steady | 166°C/W max |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 5.6 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?