Документация
IRLML5203TRPBF, [SOT-23] Р-канальный силовой MOSFET транзистор, -30B, -24A
У поставщика
ПроизводительTRR
У поставщиков
9 000 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:9 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 6,21 |
| от 500 | 4,84 |
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | IRLML5203TRPBF |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Размеры мм | A: 0.89-1.12; D: 2.80-3.04; E: 2.10-2.64; L: 0.40-0.60; B: 0.35-0.50; C: 0.085-0.18; E: 0.95 BSC; A1: 0.01-0.10; A2: 0.88-1.02; E1: 1.20-1.40; L1: 0.64 Ref; E1: 1.90 BSC |
| Gate resistance | Max: 15.4Ω; Min: 1.5Ω; Typ: 7.7Ω |
| Switching times | At VGEN -10V Rg 1Ω: Время спада: Max: 12ns; Typ: 6ns; Время нарастания: Max: 8ns; Typ: 4ns; Задержка включения: Max: 20ns; Typ: 13ns; Задержка выключения: Max: 57ns; Typ: 38ns; At VGEN -4.5V Rg 1Ω: Время спада: Max: 20ns; Typ: 10ns; Время нарастания: Max: 24ns; Typ: 16ns; Задержка включения: Max: 42ns; Typ: 28ns; Задержка выключения: Max: 45ns; Typ: 30ns |
| Заряд сток-затвор | 3.8nC (typ) |
| Вх. емкость | 1295pF (typ at VDS=-15V, f=1MHz) |
| Рассеиваемая мощность | At Ta 25C: 1.25W; At Ta 70C: 0.8W; At Tc 25C: 2.5W; At Tc 70C: 1.6W |
| Темп. диапазон | -55°C to 150°C |
| Полный заряд затвора | At VGS -10V: Max: 36nC; Typ: 24nC; At VGS -4.5V: Max: 17nC; Typ: 11.4nC |
| Body diode voltage | Max: -1.2V; Typ: -0.8V |
| Заряд затвор-исток | 3.4nC (typ) |
| Выходная емкость | 150pF (typ) |
| Структура | P-канал |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -18A (t=100µs) |
| Время обратного восстановления | Max: 23ns; Typ: 15ns |
| Gate threshold voltage | Max: -2.0V; Min: -0.5V |
| Заряд обратного восстановления | Max: 14nC; Typ: 7nC |
| Continuous drain current | At Ta 25C: -5.4A; At Ta 70C: -4.3A; At Tc 25C: -5.6A; At Tc 70C: -5.1A |
| Drain source on resistance | At VGS -6V ID -4A: Max: 0.058Ω; Typ: 0.049Ω; At VGS -10V ID -4.4A: Max: 0.055Ω; Typ: 0.046Ω; At VGS -4.5V ID -3.6A: Max: 0.063Ω; Typ: 0.054Ω |
| Обратная проходная емкость | 130pF (typ) |
| Pulsed source drain diode current | -80A (t=100µs) |
| Thermal resistance junction to foot | 50°C/W max steady state |
| Continuous source drain diode current | At Ta 25C: -1A; At Tc 25C: -2.1A |
| Термосопротивление переход-среда | T leq 5s max: 100°C/W; Steady state max: 166°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |