Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRLML5203TRPBF, Транзистор полевой P-канальный Infineon Technologies, 30В, 3А ,1,25Вт, корпус SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
32 321 шт.
Норм. уп.: 500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт10,48 ₽
Сумма1 048,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии18 321 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 506 — 9,40 ₽ (−10%)
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии14 000 шт
от 5 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 5 000 штпри 5 000 — 9,86 ₽
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 048,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 252,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 048,00 ₽
Описание
Транзистор полевой P-канальный от Infineon Technologies. Модель IRLML5203TRPBF выполнена в компактном корпусе SOT-23-3 и рассчитана на напряжение 30 В при токе до 3 А. Компонент предназначен для коммутации и управления нагрузкой в цепях с низким напряжением, обеспечивая эффективное переключение.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Рассеиваемая мощность при 25°C | 1.25W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.80W |
| Макс. заряд затвора | 14nC |
| Тип. заряд затвора | 9.5nC |
| Tf тип. | 52ns |
| Tr тип. | 18ns |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | -3.8 А |
| Крутизна gfs, мин. | 3.1S |
| Корпус | SOT-23 (Micro3) |
| Макс. заряд затвор-сток | 2.4nC |
| Qgd тип. | 1.6nC |
| Макс. заряд затвор-исток | 3.5nC |
| Qgs тип. | 2.3nC |
| Обратный заряд восстановления Qrr, макс. | 18nC |
| Qrr тип. | 12nC |
| Макс. время обратного восстановления | 26ns |
| Trr тип. | 17ns |
| Макс. Vds | -30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Vsd макс. | -1.2V |
| Тип. Ciss | 510pF |
| Coss тип. | 71pF |
| Тип. Crss | 43pF |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | IRLML5203TRPBF |
| Время спада | 52ns |
| Ток стока импульсный | -24A |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 18ns |
| Td(вкл) тип. | 12ns |
| Макс. высота | 1.1mm |
| Импульсный ток сток-исток | -24A |
| Rds(on) при 10 В | 98mΩ |
| Макс. тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Td(выкл) тип. | 88ns |
| Vgs порог макс. | -2.5V |
| Vgs порог мин. | -1.0V |
| Описание | P-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRLML5203PbF |
| RDS(on) при 4.5 В | 165mΩ |
| Мин. напряжение пробоя VBR(DSS) | -30V |
| Макс. IDSS при 25°C | -1.0µA |
| Idss max 70c | -5.0µA |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Непрерывный | -1.3A |
| Лента и катушка | Available |
| Диапазон температуры перехода и хранения | -55 to +150°C |
| IGSS прямой, макс. | -100nA |
| IGSS обратный, макс. | 100nA |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Ток стока непрерывный 25C | -3.0A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -2.4A |
| Вх. емкость | 510pF |
| Выходная емкость | 71pF |
| Время задержки включения | 12ns |
| Температурный коэффициент V(BR)DSS | 0.019V/°C |
| Время задержки выключения | 88ns |
| Прямой ток утечки затвора | -100nA |
| Обратный ток утечки затвора | 100nA |
| Импульсный ток стока | -24A |
| Напряжение, В | -30 В |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.6nC |
| Сопротивление открытия, VGS 10 В | 98mΩ |
| Мощн. рас. 25°C | 1.25W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.80W |
| Заряд затвора макс. | 14nC |
| Тип. заряд затвора | 9.5nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 2.3nC |
| Пороговое напряжение затвора | -1.0 to -2.5V |
| Коэффициент снижения мощности | 10mW/°C |
| On resistance vgs 4.5v | 165mΩ |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Макс. напряжение сток-исток | -30V |
| Прямая крутизна | 3.1S |
| Ток утечки стока, 25 °C | -1.0µA |
| Drain leakage current 70c | -5.0µA |
| Макс. время обрат. восстановления | 26ns |
| Тип. время восст. | 17ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Макс. заряд обратного восстановления | 18nC |
| Тип. заряд восст. | 12nC |
| Длительный ток стока 25°C | -3.0A |
| Непрерывный ток стока, 70 °C | -2.4A |
| Обратная проходная емкость | 43pF |
| Прямое напряжение исток-сток | -1.2V |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -30V |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?