+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В

Транзисторы и сборки MOSFET IRLML5203G

Артикул:322308
У поставщика
ПроизводительEVVO
У поставщиков
3 700 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:3 700 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 14,66
от 8643,84
от 1 4303,38
от 2 3943,01
от 3 9892,76
Описание

Полевой MOSFET-транзистор производства EVVO, предназначенный для поверхностного монтажа. Относится к классу силовых транзисторов с изолированным затвором, отличается низким сопротивлением открытого канала. Применяется в схемах коммутации нагрузки, импульсных источниках питания и цепях управления питанием.

Технические характеристики
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ОписаниеMOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs98mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max)1.25W (Ta)
Supplier Device PackageMicro3™/SOT-23
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)

Заметили ошибку в описании или параметрах?