Документация
IRLML5103TRPBF SOT-23 MOSFET транзистор Hottech (арт. 257739)
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
12 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:12 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,41 |
Описание
Транзистор IRLML5103TRPBF производства Hottech — P-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-23. Отличается низким пороговым напряжением, что позволяет управлять им напрямую от логических уровней микроконтроллеров. Применяется для коммутации нагрузки, защиты от обратной полярности и в цепях управления питанием в портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Power MOSFET |
| Вес | 0.008g |
| Тип | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | IRLML5103TRPBF |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Тип. время спада | 16ns |
| Ширина корпуса | 1.2-1.4mm |
| Тип. время нарастания | 8.2ns |
| Длина корпуса | 2.8-3.0mm |
| Рассеиваемая мощность | 540mW |
| Макс. высота корпуса | 1.15mm |
| Импульсный ток стока | -4.8A |
| Gate drain charge max | 1.7nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.1nC |
| Тип. входная емкость | 75pF |
| Pulsed source current | -4.8A |
| Заряд затвора макс. | 5.1nC |
| Тип. заряд затвора | 3.4nC |
| Gate source charge max | 0.78nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.52nC |
| Коэффициент снижения мощности | 4.3mW/°C |
| Выходная емкость тип. | 37pF |
| Время задержки вкл. тип. | 10ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 23ns |
| Макс. напряжение сток-исток | -30V |
| Continuous source current | -0.54A |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | -5.0V/ns |
| Макс. время обрат. восстановления | 39ns |
| Тип. время восст. | 26ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | -100nA max |
| Обратный ток утечки затвор-исток | 100nA max |
| Reverse recovery charge max | 30nC |
| Тип. заряд восст. | 20nC |
| Длительный ток стока 25°C | -0.76A |
| Continuous drain current 70c | -0.61A |
| Forward transconductance min | 0.44S |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | -1.0µA max |
| Обр. проходная емкость тип. | 18pF |
| Drain source leakage current 125c | -25µA max |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -30V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 230°C/W |
| Static drain source on resistance 10v | 0.6Ω max at VGS=-10V, ID=-0.6A |
| Static drain source on resistance 4 5v | 1.0Ω max at VGS=-4.5V, ID=-0.3A |