Документация
Микросхема IRLML5103
У поставщика
У поставщиков
22 883 шт.
Норм. уп.: 500
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,78 |
| от 200 | 2,67 |
| от 400 | 2,59 |
| от 1 000 | 2,55 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:900 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 1000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,78 |
| от 200 | 2,67 |
| от 400 | 2,59 |
| от 1 000 | 2,55 |
Склад 13
В наличии:13 883 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 188 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,68 |
| от 266 | 3,27 |
| от 531 | 2,91 |
| от 1 062 | 2,61 |
| от 2 123 | 2,42 |
Склад 12
В наличии:8 100 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,18 |
| от 500 | 2,52 |
Описание
Полевой транзистор IRLML5103 от HOTTECH работает с напряжением до -30 В и током до -0,76 А. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Тип | P-channel MOSFET |
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | DKAGM |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A: 0.900-1.150mm; B: 0.300-0.500mm; C: 0.080-0.150mm; D: 2.800-3.000mm; E: 1.200-1.400mm; L: 0.550mm ref; A1: 0.000-0.100mm; A2: 0.900-1.050mm; E1: 2.250-2.550mm; L1: 0.300-0.500mm; Theta: 0-8°; E pitch: 0.950mm typ; E1 pitch: 1.800-2.000mm |
| Артикул | IRLML5103 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Заряд сток-затвор | 2.2nC |
| Вх. емкость | 520pF |
| Время нарастания | 5.5ns |
| Заряд затвор-исток | 1.6nC |
| Выходная емкость | 100pF |
| Время спада | 7ns |
| Время задержки включения | 7.5ns |
| Gate resistance max | 11.5Ω |
| Gate resistance min | 3.5Ω |
| Gate resistance typ | 7.5Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | -25A |
| Мощн. рас. 25°C | 1.4W |
| Power dissipation 70c | 0.9W |
| Прямая крутизна | 5S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55~150°C |
| Body diode forward current | -2A |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1V |
| Тип. пороговое Uзи | -1.5V |
| Длительный ток стока 25°C | -4A |
| Continuous drain current 70c | -3.5A |
| Обратная проходная емкость | 65pF |
| Total gate charge vgs 10v max | 11nC |
| Total gate charge vgs 10v typ | 9.2nC |
| Body diode forward voltage max | -1V |
| Body diode forward voltage min | -0.7V |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Total gate charge vgs 4 5v max | 6nC |
| Total gate charge vgs 4 5v typ | 4.6nC |
| Zero gate voltage drain current | -1μA |
| Body diode reverse recovery time | 11ns |
| Body diode reverse recovery charge | 5.3nC |
| Drain source on resistance vgs 10v | 50-60mΩ |
| Drain source on resistance vgs 4 5v | 80-90mΩ |
| Термосопротивление переход-среда | 125°C/W |