Документация
IRLML2502TRPBF SOT-23 MOSFET транзистор HOTTECH (арт. 187952)
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
111 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:111 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,08 |
Описание
Транзистор MOSFET IRLML2502TRPBF в корпусе SOT-23 от производителя HOTTECH. Это N-канальный полевой транзистор с логическим уровнем управления, предназначенный для коммутации низковольтных нагрузок. Применяется в схемах питания портативных устройств, DC-DC преобразователях и цепях управления нагрузкой.
Технические характеристики
| Вес | 0.008 grams |
| Тип | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Fast switching, Ultra Low On-Resistance, Surface Mount device |
| Тип монтажа | SMD |
| Артикул | IRLML2502TRPBF |
| Производитель | HOTTECH |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL flammability 94V-0 |
| Заряд сток-затвор | 1.7-2.6nC |
| Вх. емкость | 740pF (V_DS=15V, V_GS=0V, f=1MHz) |
| Рассеиваемая мощность | 1.25W |
| Полный заряд затвора | 8-12nC (V_DS=10V, V_GS=5V, I_D=4A) |
| Время нарастания | 10ns |
| Заряд затвор-исток | 1.8-2.7nC |
| Выходная емкость | 90pF (V_DS=15V, V_GS=0V, f=1MHz) |
| Размеры упаковки | A: 0.900-1.150mm; D: 2.800-3.000mm; E: 1.200-1.400mm; L: 0.550mm reference; B: 0.300-0.500mm; C: 0.080-0.150mm; E: 0.950mm typical; A1: 0.000-0.100mm; A2: 0.900-1.050mm; E1: 2.250-2.550mm; L1: 0.300-0.500mm; E1: 1.800-2.000mm; Θ: 0°-8° |
| Время спада | 26ns |
| Время задержки включения | 7.5ns (V_DD=10V, I_D=1A, R_GEN=6Ω, R_L=10Ω) |
| Время задержки выключения | 54ns |
| Чувствит. к влаге | Level 1 |
| Импульсный ток стока | 33A |
| Diode forward current | 1.3A |
| Напр. диода | 1.2V (I_S=1.3A, V_GS=0V, T_j=25°C) |
| Gate threshold voltage | 0.6-1.2V (V_DS=V_GS, I_D=250μA) |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Continuous drain current | 4.2A |
| Макс. напряжение сток-исток | 20V |
| Прямая крутизна | 5.8S (V_DS=10V, I_D=4.0A) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Gate body leakage current | ±100nA (V_DS=0V, V_GS=±12V) |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 66pF (V_DS=15V, V_GS=0V, f=1MHz) |
| Напряжение пробоя сток-исток | 20V (V_GS=0V, I_D=250μA) |
| Zero gate voltage drain current | 1μA (V_DS=16V, V_GS=0V) |
| Drain source on resistance vgs 2v5 | 50-80mΩ (V_GS=2.5V, I_D=3.6A) |
| Drain source on resistance vgs 4v5 | 35-45mΩ (V_GS=4.5V, I_D=4.2A) |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |