Транзисторы и сборки MOSFET IRLML2502TRPBF
У поставщика
ПроизводительJSMICRO
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
41 839 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:41 839 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,04 |
| от 775 | 4,16 |
| от 1 325 | 3,67 |
| от 2 200 | 3,28 |
| от 3 650 | 3,02 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор с N-каналом от производителя JSMICRO. Компонент выполнен в компактном SMD-исполнении, предназначен для поверхностного монтажа. Отличается низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность при коммутации нагрузок. Подходит для применения в импульсных источниках питания, цепях управления питанием и других схемах силовой электроники.
Технические характеристики
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Описание | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Supplier Device Package | Micro3™/SOT-23 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 740 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A (Ta) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?