Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRLML2502TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 20В, 4.2А, 0.8Вт, 0.045 Ом, корпус SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
174 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:174 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10,35 |
| от 500 | 7,85 |
Описание
Полевой N-канальный транзистор от Infineon Technologies, выполненный в компактном корпусе SOT-23-3. Предназначен для коммутации цепей с низким напряжением и током до 4.2 А, отличается малым сопротивлением открытого канала. Благодаря низкому пороговому напряжению и логическому уровню управления подходит для портативных устройств и схем с батарейным питанием.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Высота | <1.1mm |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 4.2 А |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Макс. Vds | 20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-Channel |
| Время спада | 26ns |
| Footprint | SOT-23 |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 10ns |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRLML2502TRPbF |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип. время спада | 26ns |
| Тип. время нарастания | 10ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on 2.5v max | 0.080Ω |
| Rds on 4.5v max | 0.045Ω |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Вх. емкость | 740pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.25W (at TA=25°C) |
| Темп. диапазон | -55°C to +150°C |
| Выходная емкость | 90pF |
| Rds on max vgs2.5v | 0.080Ω (at VGS=2.5V, ID=3.6A) |
| Rds on max vgs4.5v | 0.045Ω (at VGS=4.5V, ID=4.2A) |
| Время задержки включения | 7.5ns |
| Rds on 2.5v typical | 0.050Ω |
| Rds on 4.5v typical | 0.035Ω |
| Время задержки выключения | 54ns |
| Импульсный ток стока | 33A |
| Напряжение, В | 20 В |
| Capacitance input typ | 740pF |
| Gate drain charge max | 2.6nC |
| Мощн. рас. 25°C | 1.25W |
| Power dissipation 70c | 0.8W (at TA=70°C) |
| Pulsed source current | 33A |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 8nC |
| Capacitance output typ | 90pF |
| Gate source charge max | 2.7nC |
| Gate threshold voltage | 0.6V to 1.2V |
| Tape and reel quantity | 3000 |
| Время задержки вкл. тип. | 7.5ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Время задержки выкл. тип. | 54ns |
| Continuous drain current | 4.2A (at TA=25°C, VGS=4.5V) |
| Макс. напряжение сток-исток | 20V |
| Прямая крутизна | 5.8S |
| Gate leakage current max | 100nA |
| Continuous source current | 1.3A |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Gate drain charge typical | 1.7nC |
| Макс. время обрат. восстановления | 24ns |
| Тип. время восст. | 16ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Total gate charge typical | 8.0nC |
| Gate source charge typical | 1.8nC |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.6V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Reverse recovery charge max | 13nC |
| Тип. заряд восст. | 8.6nC |
| Длительный ток стока 25°C | 4.2A |
| Continuous drain current 70c | 3.4A (at TA=70°C, VGS=4.5V) |
| Forward transconductance typ | 5.8S |
| Gate leakage current forward | 100nA |
| Gate leakage current reverse | -100nA |
| Обратная проходная емкость | 66pF |
| Drain leakage current max 25c | 1μA |
| Drain leakage current max 70c | 25μA |
| Reverse recovery time typical | 16ns |
| Body diode forward voltage max | 1.2V |
| Reverse recovery charge typical | 8.6nC |
| Capacitance reverse transfer typ | 66pF |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 1µA |
| Drain source leakage current 70c | 25µA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.01 V/°C |
| Gate threshold voltage coefficient | -3.2 mV/°C |
| Thermal resistance junction ambient max | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient typ | 75°C/W |
| Thermal resistance junction ambient typical | 75°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?