+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRLML2502
Документация

Транзистор IRLML2502

Артикул:127278
У поставщика
ПроизводительHUASHUO
Ед. изм.шт
У поставщиков
13 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 13,47
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:13 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 13,47
Описание

Транзистор IRLML2502 от HUASHUO — это полевой MOSFET с низким сопротивлением открытого канала. Компонент рассчитан на ток до 4,2 А и напряжение до 20 В, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и цепях питания бытовой электроники.

Технические характеристики
Типполевые (FETs, MOSFETs)
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±12V
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ОписаниеMOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.25W (Ta)
Supplier Device PackageMicro3™/SOT-23
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds740 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.2A (Ta)