Документация
Транзистор полевой IRLML2502
У поставщика
У поставщиков
161 738 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 500 | 1,76 |
| от 1 000 | 1,65 |
| от 3 000 | 1,55 |
| от 6 000 | 1,45 |
Цены поставщиков
Склад 14
В наличии:161 738 шт.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 1,81 |
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Вес | 0.008g |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | IRLML2502 |
| Время спада | 26ns |
| Шаг выводов | 0.950mm typ |
| Время нарастания | 10ns |
| Ширина вывода | 0.300-0.500mm |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Ширина корпуса | 1.200-1.400mm |
| Lead thickness | 0.080-0.150mm |
| Высота корпуса | 0.900-1.150mm |
| Длина корпуса | 2.800-3.000mm |
| Заряд сток-затвор | 1.7-2.6nC |
| Вх. емкость | 740pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.25W |
| Полный заряд затвора | 8-12nC |
| Заряд затвор-исток | 1.8-2.7nC |
| Выходная емкость | 90pF |
| Время задержки включения | 7.5ns |
| Время задержки выключения | 54ns |
| Gate leakage current | ±100nA |
| Импульсный ток стока | 33A |
| Мин. пробойное напр. | 20V |
| Diode forward current | 1.3A |
| Напр. диода | 1.2V |
| Drain leakage current | 1µA |
| Gate threshold voltage | 0.6-1.2V |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Continuous drain current | 4.2A |
| Макс. напряжение сток-исток | 20V |
| Прямая крутизна | 2.8S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 66pF |
| Drain source on resistance vgs 2.5v | 50-80mΩ |
| Drain source on resistance vgs 4.5v | 35-45mΩ |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Junction to ambient thermal impedance | 100°C/W |