Документация
Транзистор полевой IRLML2502
У поставщика
У поставщиков
473 073 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 500 | 2,14 |
| от 1 000 | 2,01 |
| от 3 000 | 1,89 |
| от 6 000 | 1,76 |
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:240 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 30000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,14 |
| от 3 000 | 2,99 |
Склад 39
В наличии:132 082 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,24 |
| от 1 275 | 2,63 |
| от 2 150 | 2,29 |
| от 3 600 | 2,02 |
| от 6 000 | 1,84 |
Склад 14
В наличии:100 926 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 2,21 |
Склад 13
В наличии:65 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 130 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,31 |
| от 295 | 2,93 |
| от 590 | 2,60 |
| от 1 180 | 2,33 |
| от 3 000 | 2,15 |
Описание
Транзистор полевой IRLML2502 от HOTTECH — N-канальный MOSFET в компактном SMD-корпусе SOT-23. Работает с напряжением до 20 В и током до 4,2 А, рассеивает мощность 1,25 Вт. Подходит для коммутации нагрузок в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Is max | 1.3A |
| Pd макс. | 1.25W |
| Макс. заряд затвора | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 8nC |
| Tf тип. | 26ns |
| Tr тип. | 10ns |
| Вес | 0.008 grams |
| Gfs тип. | 2.8S |
| Корпус | SOT-23 |
| Qgd max | 2.6nC |
| Qgd тип. | 1.7nC |
| Qgs max | 2.7nC |
| Qgs тип. | 1.8nC |
| Макс. Vds | 20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип. Ciss | 740pF |
| Coss тип. | 90pF |
| Тип. Crss | 66pF |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-channel |
| V sd max | 1.2V |
| Компонент | IRLML2502 |
| Время спада | 26ns |
| Ток стока импульсный | 33A |
| Кол-во выводов | 3 |
| Шаг выводов | 0.950mm typ |
| Время нарастания | 10ns |
| Td(вкл) тип. | 7.5ns |
| Размеры | Lead span: 1.8-2.0mm; Width max: 1.4mm; Width min: 1.2mm; Макс. высота: 1.15mm; Height min: 0.9mm; Макс. длина: 3.0mm; Мин. длина: 2.8mm |
| Ширина вывода | 0.300-0.500mm |
| Td(выкл) тип. | 54ns |
| Vgs порог макс. | 1.2V |
| Vgs порог мин. | 0.6V |
| Тип устройства | MOSFET |
| Артикул | IRLML2502 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Размеры мм | A max: 1.15; A min: 0.9; B max: 0.5; B min: 0.3; C max: 0.15; C min: 0.08; D max: 3; D min: 2.8; E max: 1.4; E min: 1.2; E typ: 0.95; L ref: 0.55; A1 max: 0.1; A1 min: 0; A2 max: 1.05; A2 min: 0.9; E1 max: 2; E1 min: 1.8; L1 max: 0.5; L1 min: 0.3; Theta max: 8; Theta min: 0 |
| Тип. время спада | 26ns |
| Id непрерывный | 4.2A |
| Ширина корпуса | 1.200-1.400mm |
| Тип. время нарастания | 10ns |
| Lead thickness | 0.080-0.150mm |
| Высота корпуса | 0.900-1.150mm |
| Длина корпуса | 2.800-3.000mm |
| Заряд сток-затвор | 1.7-2.6nC |
| Вх. емкость | 740pF |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Рассеиваемая мощность | 1.25W |
| Rds on max vgs2v5 | 80mΩ |
| Rds on max vgs4v5 | 45mΩ |
| Rds on typ vgs2v5 | 50mΩ |
| Rds on typ vgs4v5 | 35mΩ |
| Полный заряд затвора | 8-12nC |
| Заряд затвор-исток | 1.8-2.7nC |
| Выходная емкость | 90pF |
| Диапазон температур хранения | -55~+150°C |
| Время задержки включения | 7.5ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 54ns |
| Gate leakage current | ±100nA |
| Импульсный ток стока | 33A |
| Мин. пробойное напр. | 20V |
| Diode forward current | 1.3A |
| Напр. диода | 1.2V |
| Drain leakage current | 1µA |
| Gate drain charge max | 2.6nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.7nC |
| Тип. входная емкость | 740pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.25W |
| Тепловое сопротивление JA | 100°C/W |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 8nC |
| Feature fast switching | Да |
| Gate source charge max | 2.7nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.8nC |
| Gate threshold voltage | 0.6-1.2V |
| Выходная емкость тип. | 90pF |
| Время задержки вкл. тип. | 7.5ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Время задержки выкл. тип. | 54ns |
| Continuous drain current | 4.2A |
| Макс. напряжение сток-исток | 20V |
| Прямая крутизна | 2.8S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Pulsed drain current max | 33A |
| Diode forward current max | 1.3A |
| Напр. диода макс. | 1.2V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.6V |
| Continuous drain current max | 4.2A |
| Forward transconductance typ | 2.8S |
| Обратная проходная емкость | 66pF |
| Feature ultra low on resistance | Да |
| Обр. проходная емкость тип. | 66pF |
| Drain source on resistance vgs 2.5v | 50-80mΩ |
| Drain source on resistance vgs 4.5v | 35-45mΩ |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Junction to ambient thermal impedance | 100°C/W |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Drain source on resistance vgs 2.5v max | 80mΩ |
| Drain source on resistance vgs 2.5v typ | 50mΩ |
| Drain source on resistance vgs 4.5v max | 45mΩ |
| Drain source on resistance vgs 4.5v typ | 35mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Тип транзистора | N-channel MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?