Документация
IRLML2402TRPBF -VB, транзистор N канал 20В 1.2А (SOT23)
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
19 000 шт.
Норм. уп.: 250
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт3,84 ₽
Сумма9 600,00 ₽
В наличии19 000 шт
от 2 500 штюрлицам и ИП
2 500 шт · Склад 12 · 9 600,00 ₽
Описание
Транзистор IRLML2402TRPBF от VBSEMI — это N-канальный MOSFET в корпусе SOT-23. Работает при напряжении до 20 В и токе до 1.2 А, имеет низкое сопротивление канала (28 мОм при 4.5 В). Подходит для DC/DC-преобразователей и коммутации нагрузки в портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (3-lead) |
| Макс. Vds | 20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Особенности | Halogen-free, Соответствует RoHS, TrenchFET |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | 2.80x2.10x0.89 mm (typical) |
| Артикул | IRLML2402TRPBF |
| Применение | DC/DC Converters, Load Switch for Portable Applications |
| Производитель | VBsemi |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Тип. время спада | 8 ns |
| Макс. импульсный ток стока | 20A |
| Тип. время нарастания | 17 ns |
| Сопротивление сток-исток при Vgs 1,8 В | 0.050Ω |
| Rds(on) при Vgs 2.5 В | 0.042Ω |
| RDS(on) при VGS 4,5 В | 0.028Ω |
| Общий заряд затвора, макс. | 14 nC |
| Общий заряд затвора, тип. | 8.8 nC |
| Gate resistance range | 0.5 to 4.8 Ω |
| Тип. входная емкость | 865 pF |
| Id continuous case 25c | 6A (package limited) |
| Выходная емкость тип. | 105 pF |
| Время задержки вкл. тип. | 8 ns |
| Время задержки выкл. тип. | 31 ns |
| Id continuous ambient 25c | 5A |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 1.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.45V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Рассеиваемая мощность при корпусе 25 °C | 2.1W |
| Тип. прямая крутизна | 24 S |
| On state drain current pulsed | 20A |
| Power dissipation ambient 25c | 1.25W |
| Прямое напряжение диода, тип. | 0.75V |
| Обр. проходная емкость тип. | 55 pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 20V |
| Тип. время восстановления диода | 12 ns |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 60°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?