Документация
Транзистор полевой IRLML2246TRPBF
У поставщика
У поставщиков
100 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 12,24 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 12,24 |
Описание
Транзистор полевой P-channel MOSFET от Infineon в корпусе Micro3 (SOT-23) для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до -20 В и постоянный ток до -2,6 А, сопротивление открытого канала от 135 мОм. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и бытовой электронике.
Технические характеристики
| MSL | 1 |
| RoHS | true |
| Тип | P-channel MOSFET |
| Рассеиваемая мощность при 25°C | 1.3W |
| Pd 70c | 0.80W |
| Цоколевка | industry standard |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Макс. Vds | -20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | -11A |
| Vgs порог макс. | -1.1V |
| Vgs порог мин. | -0.4V |
| Артикул | IRLML2246TRPBF |
| Тип. время спада | 16ns |
| Тип. время нарастания | 7.7ns |
| Ток стока непрерывный 25C | -2.6A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -2.1A |
| Rdson max vgs 2 5v | 236mΩ |
| Rdson max vgs 4 5v | 135mΩ |
| Rdson typ vgs 2 5v | 157mΩ |
| Rdson typ vgs 4 5v | 90mΩ |
| Мин. пробойное напр. | -20V |
| Gate charge total typ | 2.9nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.2nC |
| Тип. входная емкость | 220pF |
| Pulsed source current | -11A |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.52nC |
| Выходная емкость тип. | 70pF |
| Время задержки вкл. тип. | 5.3ns |
| Время задержки выкл. тип. | 26ns |
| Drain source leakage max | -1.0μA |
| Continuous source current | -1.3A |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Тип. время восст. | 17ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Тип. заряд восст. | 6.2nC |
| Forward transconductance min | 3.4S |
| Internal gate resistance typ | 16Ω |
| Gate source leakage forward max | 100nA |
| Gate source leakage reverse max | -100nA |
| Обр. проходная емкость тип. | 48pF |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Breakdown voltage temp coefficient typ | 9.5mV/°C |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient max t less 10s | 99°C/W |