Документация
Транзистор полевой IRLML2246TRPBF
У поставщика
У поставщиков
16 531 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 2срок до 2 недель
Цена за шт14,43 ₽
Сумма721,50 ₽
В наличии100 шт
от 50 штюрлицам и ИП
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии16 431 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
продаётся от 100 штпри 100 — 10,75 ₽
50 шт · Склад 2 · 721,50 ₽
Описание
Транзистор полевой P-channel MOSFET от Infineon в корпусе Micro3 (SOT-23) для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до -20 В и постоянный ток до -2,6 А, сопротивление открытого канала от 135 мОм. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и бытовой электронике.
Технические характеристики
| MSL | 1 |
| Время спада, t_f | 16ns |
| Время нарастания | 7.7ns |
| Заряд затвор-сток (Qgd) | 1.2nC |
| Заряд затвор-исток (Qgs) | 0.52nC |
| RoHS | Да |
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Напряжение сток-исток | -20V |
| Входная ёмкость | 220pF |
| Выходная ёмкость | 70pF |
| Проходная ёмкость | 48pF |
| Рассеиваемая мощность при 25°C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.80W |
| Цоколевка | industry standard |
| Задержка включения | 5.3ns |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Время выключения, t_d_off | 26ns |
| Макс. Vds | -20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Заряд обратного восстановления, макс. | 9.3nC |
| Тип. обратный заряд | 6.2nC |
| Обратное время восстановления, макс. | 26ns |
| Время обратного восстановления, тип. | 17ns |
| V(BR)DSS | -20V |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±12V |
| Напряжение насыщения VSD, макс. | -1.2V |
| Ток утечки сток-исток IDSS, макс. | -1.0μA |
| Ток стока импульсный | -11A |
| Общий заряд затвора | 2.9nC |
| Vgs порог макс. | -1.1V |
| Vgs порог мин. | -0.4V |
| Описание | HEXFET силовой MOSFET |
| Артикул | IRLML2246TRPBF |
| Макс. пороговое напряжение затвор-исток | -1.1V |
| Мин. пороговое напряжение затвор-исток | -0.4V |
| Тип канала | P-канал |
| Тип. время спада | 16ns |
| Квалификация | Потребительский |
| Тип. время нарастания | 7.7ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Макс. ток Idss при Tj 125 °C | -150μA |
| Макс. прямой ток утечки затвора | 100nA |
| Макс. обратный ток утечки затвора | -100nA |
| Ток стока непрерывный 25C | -2.6A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -2.1A |
| RDS(on) при VGS 2,5 В, макс. | 236mΩ |
| RDS(on) при VGS 4,5 В, макс. | 135mΩ |
| RDS(on) при VGS 2,5 В, тип. | 157mΩ |
| RDS(on) при VGS 4,5 В, тип. | 90mΩ |
| Импульсный ток стока | -11A |
| RDS(on) при VGS 2,5 В, макс. | 236mΩ |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 135mΩ |
| RDS(on) при VGS 2,5 В, тип. | 157mΩ |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В, тип. | 90mΩ |
| Мин. пробойное напр. | -20V |
| Общий заряд затвора, тип. | 2.9nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.2nC |
| Тип. входная емкость | 220pF |
| Импульсный ток истока | -11A |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.52nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Выходная емкость тип. | 70pF |
| Время задержки вкл. тип. | 5.3ns |
| Время задержки выкл. тип. | 26ns |
| Макс. ток утечки сток-исток | -1.0μA |
| Прямая крутизна | 3.4S |
| Внутреннее сопротивление затвора | 16Ω |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.80W |
| Длительный ток истока | -1.3A |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Тип. время восст. | 17ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Температурный коэффициент напряжения пробоя сток-исток | 9.5mV/°C |
| Диапазон температур хранения перехода | -55 to +150°C |
| Тип. заряд восст. | 6.2nC |
| Мин. прямая крутизна | 3.4S |
| Внутреннее сопротивление затвора, тип. | 16Ω |
| Длительный ток стока при Ta 25 °C | -2.6A |
| Длительный ток стока при Ta 70 °C | -2.1A |
| Макс. прямой ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Макс. обратный ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Обр. проходная емкость тип. | 48pF |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| ТКС напряжения пробоя, тип. | 9.5mV/°C |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда t < 10 с | 99°C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-среда t < 10 с | 99°C/W |
| Тип транзистора | P-канальный MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?