Документация
Транзистор полевой IRLML2244TRPBF
В наличии
На своём складе
73 шт.
Норм. уп.: 1
У поставщиков
23 556 шт.
Норм. уп.: 100
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 8,29 |
| от 60 | 7,96 |
| от 120 | 7,70 |
| от 200 | 7,53 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:19 556 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 23,13 |
| от 248 | 21,24 |
| от 496 | 19,98 |
| от 991 | 18,86 |
| от 1 982 | 18,12 |
Склад 12
В наличии:4 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 17,60 |
| от 100 | 14,75 |
Описание
Полевой P-канальный MOSFET от Infineon в компактном корпусе Micro3 (SOT-23) для поверхностного монтажа. Выдерживает максимальное напряжение сток-исток до -20 В и импульсный ток до -18 А, отличается низким пороговым напряжением открытия. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Tf | 25ns |
| Tr | 12ns |
| MSL | MSL1 |
| Заряд затвор-сток | 2.9nC |
| Заряд затвор-исток | 1.0nC |
| Заряд обратного восстановления | 9.0nC |
| TRR | 21ns |
| Ciss | 570pF |
| Coss | 160pF |
| Crss | 110pF |
| RoHS | Да |
| Тип | P-channel Power MOSFET |
| Td(вкл) | 7.0ns |
| Рассеиваемая мощность при 25°C | 1.3W |
| Pd 70c | 0.8W |
| Цоколевка | Gate 1, Drain 3, Source 2 |
| Td(выкл) | 34ns |
| Gfs min | 6.5S |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Qrr max | 14nC |
| Макс. время обратного восстановления | 32ns |
| Макс. Vds | -20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Vsd макс. | -1.2V |
| Idss макс. | 1μA |
| Тип монтажа | SMD |
| Qg total | 6.9nC |
| Время спада | 25ns |
| Ток стока импульсный | -18A |
| Уровень MSL | 1 |
| Время нарастания | 12ns |
| Rthja max | 100°C/W |
| Ism pulsed | -18A |
| Vgs порог макс. | -1.1V |
| Vgs порог мин. | -0.4V |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRLML2244TRPbF |
| Rg internal | 8.9Ω |
| Channel type | P-Channel |
| Производитель | International Rectifier |
| IDSS макс. 125°C | 150μA |
| Непрерывный | -1.3A |
| Квалификация | Consumer |
| Rthja max 10s | 99°C/W |
| Tj tstg range | -55 to +150°C |
| Соотв. RoHS | Да |
| Igss forward max | -100nA |
| Igss reverse max | 100nA |
| Gate charge total | 6.9nC |
| Ток стока непрерывный 25C | -4.3A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -3.4A |
| Вх. емкость | 570pF |
| Макс. пороговое Vgs | -1.1V |
| Мин. пороговое Vgs | -0.4V |
| Заряд затвор-исток | 1.0nC |
| Выходная емкость | 160pF |
| Время задержки включения | 7.0ns |
| Rds on max vgs 2 5v | 95mΩ |
| Rds on max vgs 4 5v | 54mΩ |
| Rds on typ vgs 2 5v | 71mΩ |
| Rds on typ vgs 4 5v | 42mΩ |
| Время задержки выключения | 34ns |
| Импульсный ток стока | -18A |
| Rds on vgs minus2 5v | 95mΩ |
| Rds on vgs minus4 5v | 54mΩ |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Время обратного восстановления | 21ns |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 9.0nC |
| Прямая крутизна | 6.5S |
| Gate drain charge miller | 2.9nC |
| Internal gate resistance | 8.9Ω |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Body diode forward voltage | -1.2V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Длительный ток стока 25°C | -4.3A |
| Continuous drain current 70c | -3.4A |
| Обратная проходная емкость | 110pF |
| Body diode pulsed source current | -18A |
| Body diode continuous source current | -1.3A |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient max t less 10s | 99°C/W |
| Тип транзистора | P-channel Power MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?