Документация
Транзистор полевой IRLML2244TRPBF
В наличии
На своём складе
1 166 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 6,87 |
| от 60 | 6,59 |
| от 120 | 6,41 |
| от 200 | 6,27 |
Описание
Полевой P-канальный MOSFET от Infineon в компактном корпусе Micro3 (SOT-23) для поверхностного монтажа. Выдерживает максимальное напряжение сток-исток до -20 В и импульсный ток до -18 А, отличается низким пороговым напряжением открытия. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-channel Power MOSFET |
| Цоколевка | Gate 1, Drain 3, Source 2 |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Макс. Vds | -20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 25ns |
| Уровень MSL | 1 |
| Время нарастания | 12ns |
| Артикул | IRLML2244TRPbF |
| Соотв. RoHS | true |
| Gate charge total | 6.9nC |
| Вх. емкость | 570pF |
| Макс. пороговое Vgs | -1.1V |
| Мин. пороговое Vgs | -0.4V |
| Заряд затвор-исток | 1.0nC |
| Выходная емкость | 160pF |
| Время задержки включения | 7.0ns |
| Время задержки выключения | 34ns |
| Импульсный ток стока | -18A |
| Rds on vgs minus2 5v | 95mΩ |
| Rds on vgs minus4 5v | 54mΩ |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Время обратного восстановления | 21ns |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 9.0nC |
| Прямая крутизна | 6.5S |
| Gate drain charge miller | 2.9nC |
| Internal gate resistance | 8.9Ω |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Body diode forward voltage | -1.2V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Длительный ток стока 25°C | -4.3A |
| Continuous drain current 70c | -3.4A |
| Обратная проходная емкость | 110pF |
| Body diode pulsed source current | -18A |
| Body diode continuous source current | -1.3A |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient max t less 10s | 99°C/W |