Документация
Транзистор IRLML2060TRPBF
У поставщика
У поставщиков
5 487 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт13,83 ₽
Сумма691,50 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии5 487 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 50 штюрлицам и ИП
от 132 — 12,32 ₽ (−11%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 691,50 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 608,50 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
50 шт · Склад 13 · 691,50 ₽
Описание
Транзистор IRLML2060TRPBF от Infineon — это полевой MOSFET с изолированным затвором. Компонент рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток до 2,7 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для схем управления нагрузкой в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| MSL | MSL1 |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| RoHS | Соответствует |
| Цоколевка | Industry-standard |
| Тип. заряд затвора | 0.67nC |
| Tf тип. | 2.8ns |
| Tr тип. | 3.8ns |
| Крутизна gfs, мин. | 1.6S |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Qgd тип. | 0.40nC |
| Qgs тип. | 0.18nC |
| Обратный заряд восстановления Qrr, макс. | 12nC |
| Qrr тип. | 8.3nC |
| Макс. время обратного восстановления | 21ns |
| Trr тип. | 14ns |
| Макс. Vds | 60V |
| Макс. Vgs | ±16V |
| Vsd макс. | 1.2V |
| Тип. Ciss | 64pF |
| Coss тип. | 13pF |
| Тип. Crss | 6.6pF |
| Idss макс. | 20µA |
| Тип монтажа | SMD |
| Pd ta25c | 1.25W |
| Pd ta70c | 0.80W |
| Макс. тепловое сопротивление RthJA | 100°C/W |
| Td(вкл) тип. | 4.9ns |
| Idm импульсный | 4.8A |
| Импульсный ток сток-исток | 4.8A |
| Td(выкл) тип. | 3.7ns |
| Vgs порог макс. | 2.5V |
| Vgs порог мин. | 1.0V |
| Описание | HEXFET силовой MOSFET |
| Артикул | IRLML2060TRPbF |
| Мин. напряжение пробоя VBR(DSS) | 60V |
| Непрерывный | 1.2A |
| Диапазон температуры перехода и хранения | -55 to +150°C |
| Idss max tj125c | 150µA |
| Rg internal typ | 7.5Ω |
| IGSS прямой, макс. | 100nA |
| IGSS обратный, макс. | -100nA |
| Описание | MOSFETs MOSFT 60V 1.2A 480mOhm 0.7nC Qg |
| RDS(on) макс. при VGS 10 В | 480mΩ |
| Тип. Rds(on) при Vgs 10 В | 356mΩ |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 640mΩ |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В, тип. | 475mΩ |
| Rthja max t lt 10s | 99°C/W |
| Температурный коэффициент V(BR)DSS | 0.06V/°C |
| Структура | N-канал |
| Id continuous ta25c | 1.2A |
| Id continuous ta70c | 0.93A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Напряжение, В | 60 |
| Ток, А | 1,2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?