Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRLML2030TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 30В, 2.7А, 1.3Вт, корпус SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
31 491 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт11,11 ₽
Сумма1 111,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии31 491 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 485 — 9,98 ₽ (−10%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 111,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 189,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 111,00 ₽
Описание
Полевой N-канальный транзистор от Infineon Technologies, выполненный в миниатюрном корпусе SOT-23-3. Компонент рассчитан на рабочее напряжение до 30 В и ток до 2,7 А, что делает его пригодным для коммутации нагрузок в компактных устройствах. Отличается низким сопротивлением открытого канала, обеспечивая эффективное управление питанием в портативной электронике и DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| MSL | MSL1 |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 3.7 А |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| Описание | HEXFET Power MOSFET, N-Channel, 30V, 2.7A, 1.3W, SOT-23-3 |
| Артикул | IRLML2030TRPbF |
| Применение | Load/System Switch |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип. время спада | 2.9ns |
| Тип. время нарастания | 3.3ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| RDS(on) макс. при VGS 10 В | 100mΩ |
| Тип. Rds(on) при Vgs 10 В | 80mΩ |
| RDS(on), макс. при VGS 4,5 В | 154mΩ |
| Тип. RDS(on) при VGS 4,5 В | 123mΩ |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 11A |
| Напряжение, В | 30 В |
| Тип. заряд затвор-сток | 0.34nC |
| Тип. входная емкость | 110pF |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.8W |
| Импульсный ток истока | 11A |
| Тип. заряд затвора | 1.0nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.34nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Выходная емкость тип. | 29pF |
| Время задержки вкл. тип. | 4.1ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 4.5ns |
| Внутреннее сопротивление затвора | 7.6Ω |
| Длительный ток истока | 1.6A |
| Напр. диода макс. | 1.0V |
| Макс. время обрат. восстановления | 14ns |
| Тип. время восст. | 9.0ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.3V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.7V |
| Диапазон температур хранения перехода | -55 to +150°C |
| Макс. заряд обратного восстановления | 0.4nC |
| Тип. заряд восст. | 0.3nC |
| Длительный ток стока 25°C | 2.7A |
| Непрерывный ток стока, 70 °C | 2.2A |
| Мин. прямая крутизна | 2.6S |
| Прямой ток утечки затвор-исток, макс. | 100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток, макс. | -100nA |
| Ток утечки сток-исток, макс. | 1μA |
| Обр. проходная емкость тип. | 12pF |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Ток утечки сток-исток 125°C макс. | 150μA |
| Тепловое сопротивление переход-среда, t < 10 с | 99°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?