+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRLML0100TRPBF-VB
Документация

IRLML0100TRPBF-VB, N-канал транзистор 100В 2А 240мОм/10В SOT23-3 (=аналог для RLML0100TRPBF)

Артикул:1207146
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
6 500 шт.
Норм. уп.: 250
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:6 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 250
Минимальная партия: 2500 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 133,12
от 25024,01
от 2 50020,42
Технические характеристики
ТипN-Channel MOSFET
КорпусSOT-23 (TO-236)
Макс. Vds100V
Особенности100% Rg Tested, 100% UIS Tested
Тип монтажаSMD
ПолярностьN
Ток стока импульсный7A
Размеры2.9mm x 1.3mm x 1.0mm (approx)
ТехнологияTrenchFET
Vgs порог макс.2.8V
Vgs порог мин.1.2V
ПрименениеDC/DC Converters, Load Switch, LED Backlighting in LCD TVs
КорпусSOT-23-3
Pd max ta 25c1.2W
Pd max tc 25c2.5W
Rds on vgs 6v0.250Ω
Qg vgs 10v max10.4nC
Qg vgs 10v typ5.2nC
Rds on vgs 10v0.240Ω
Qg vgs 4.5v max5.8nC
Qg vgs 4.5v typ2.9nC
Rds on vgs 4.5v0.260Ω
Темп. диапазон-55°C to 150°C
СтруктураN-канал
Gate resistance max2.8Ω
Gate resistance typ0.3Ω
Id continuous ta 25c1.6A
Id continuous tc 25c2A
Id continuous tc 70c1.8A
Gate source leakage max±100nA
Body diode pulsed current20A
Capacitance input ciss typ190pF
Capacitance output coss typ22pF
Capacitance reverse crss typ13pF
Body diode continuous current2.1A
Энергия одиноч. импульса1.25mJ
Body diode forward voltage max1.2V
Body diode forward voltage typ0.8V
Single pulse avalanche current5A
Zero gate voltage drain current max1µA
Body diode reverse recovery time max33ns
Body diode reverse recovery time typ22ns
Thermal resistance junction to foot max50°C/W
Thermal resistance junction to foot typ40°C/W
Макс. тепловое сопр. переход-среда100°C/W
Thermal resistance junction to ambient typ75°C/W
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2