Документация
IRLML0100TRPBF-VB, N-канал транзистор 100В 2А 240мОм/10В SOT23-3 (=аналог для RLML0100TRPBF)
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
У поставщиков
6 500 шт.
Норм. уп.: 250
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт21,68 ₽
Сумма54 200,00 ₽
В наличии6 500 шт
от 2 500 штюрлицам и ИП
2 500 шт · Склад 12 · 54 200,00 ₽
Описание
N-канальный MOSFET транзистор IRLML0100TRPBF-VB от VBSEMI в компактном корпусе SOT-23. Выдерживает напряжение до 100 В и импульсный ток до 7 А при сопротивлении открытого канала 240 мОм. Подходит для DC/DC преобразователей, управления нагрузкой и LED-подсветки в ЖК-телевизорах.
Технические характеристики
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Макс. Vds | 100V |
| Особенности | 100% Rg Tested, 100% UIS Tested |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N |
| Ток стока импульсный | 7A |
| Размеры | 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm (approx) |
| Технология | TrenchFET |
| Vgs порог макс. | 2.8V |
| Vgs порог мин. | 1.2V |
| Применение | DC/DC Converters, Load Switch, LED Backlighting in LCD TVs |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Pd max ta 25c | 1.2W |
| Pd max tc 25c | 2.5W |
| Rds on vgs 6v | 0.250Ω |
| Qg vgs 10v max | 10.4nC |
| Qg vgs 10v typ | 5.2nC |
| RDS(on) при VGS 10 В | 0.240Ω |
| Qg vgs 4.5v max | 5.8nC |
| Qg vgs 4.5v typ | 2.9nC |
| Rds on vgs 4.5v | 0.260Ω |
| Темп. диапазон | -55°C to 150°C |
| Структура | N-канал |
| Сопротивление затвора, макс. | 2.8Ω |
| Тип. сопротивление затвора | 0.3Ω |
| Ток стока длительный при TA 25 °C | 1.6A |
| Id continuous tc 25c | 2A |
| Id continuous tc 70c | 1.8A |
| Ток утечки затвор-исток, макс. | ±100nA |
| Импульсный ток диода тела | 20A |
| Capacitance input ciss typ | 190pF |
| Capacitance output coss typ | 22pF |
| Capacitance reverse crss typ | 13pF |
| Непрерывный ток диода тела | 2.1A |
| Энергия одиноч. импульса | 1.25mJ |
| Прямое напряжение диода, макс. | 1.2V |
| Прямое напряжение диода, тип. | 0.8V |
| Ток лавинного пробоя одиночного импульса | 5A |
| Макс. ток стока при нулевом напряжении затвора | 1µA |
| Время обратного восстановления диода, макс. | 33ns |
| Тип. время восстановления диода | 22ns |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 50°C/W |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, тип. | 40°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, тип. | 75°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?