Документация
IRLML0100TRPBF, [Micro3/SOT23] транзистор N канал 100В 1.6А
У поставщика
ПроизводительTRR
У поставщиков
24 000 шт.
Норм. уп.: 500
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт5,06 ₽
Сумма25 300,00 ₽
В наличии24 000 шт
от 5 000 штюрлицам и ИП
5 000 шт · Склад 12 · 25 300,00 ₽
Описание
Транзистор N-канальный IRLML0100TRPBF от TRR в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Работает при напряжении до 100 В и токе до 1.6 А, импульсный ток достигает 7 А. Отличается быстрым переключением (время нарастания и спада от 6 нс) и низким зарядом затвора. Применяется в DC/DC-преобразователях, коммутации нагрузки и LED-подсветке ЖК-телевизоров.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 (Micro3) |
| Тип монтажа | SMD |
| Применение | DC/DC Converters, Load Switch, LED Backlighting in LCD TVs |
| Тип канала | N-канальный |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Сопротивление затвора | 0.3Ω to 2.8Ω |
| Энергия лавины | 1.25mJ |
| Описание | MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 220mOhm 2.5nC Qg |
| Лавинный ток | 5A |
| Fall time vgs 10v | 6ns typ, 12ns max |
| Заряд сток-затвор | 1.4nC |
| Вх. емкость | 190pF |
| Rise time vgs 10v | 10ns typ, 20ns max |
| Fall time vgs 4.5v | 12ns typ, 20ns max |
| Заряд затвор-исток | 0.75nC |
| Выходная емкость | 22pF |
| Rise time vgs 4.5v | 26ns typ, 39ns max |
| Структура | N-канал |
| Ток утечки затвор-исток | ±100nA |
| Импульсный ток стока | 7A |
| Ток утечки сток-исток | 1µA |
| Напряжение сток-исток | 100V |
| Turn on delay vgs 10v | 6ns typ, 12ns max |
| Turn off delay vgs 10v | 10ns typ, 20ns max |
| Turn on delay vgs 4.5v | 30ns typ, 45ns max |
| Turn off delay vgs 4.5v | 17ns typ, 26ns max |
| Макс. напряжение затвор-исток | ±20V |
| Прямая крутизна | 2S |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.2W |
| Рассеиваемая мощность при TC 25 °C | 2.5W |
| Макс. раб. темп. | 150°C |
| Мин. раб. темп. | -55°C |
| Общий заряд затвора Vgs 10 В | 5.2nC typ, 10.4nC max |
| Прямое напряжение диода тела | 0.8V to 1.2V |
| Total gate charge vgs 4.5v | 2.9nC typ, 5.8nC max |
| Current source drain pulsed | 20A |
| Обратная проходная емкость | 13pF |
| Threshold voltage gate source | 1.2V to 2.8V |
| Current drain continuous ta 25c | 1.6A |
| Current drain continuous ta 70c | 1.3A |
| Current drain continuous tc 25c | 2A |
| Current source drain continuous | 2.1A |
| Время обратного восстановления диода | 22ns typ, 33ns max |
| Resistance drain source on vgs 6v | 0.250Ω |
| Заряд обратного восстановления диода | 21nC typ, 32nC max |
| Resistance drain source on vgs 10v | 0.240Ω |
| Resistance drain source on vgs 4.5v | 0.260Ω |
| Тепловое сопротивление переход-основание | 50°C/W |
| Body diode reverse recovery fall time | 16ns |
| Body diode reverse recovery rise time | 6ns |
| Thermal resistance junction to ambient 5s | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient steady | 166°C/W |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.6 |
| Напряжение, В | 100 |
| Ток, А | 1,6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?