Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRLML0100TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 100В, 1.6А, 1.3Вт, 0,22 Ом, корпус SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Описание
Это N-канальный полевой транзистор (MOSFET) от Infineon Technologies. Компонент рассчитан на напряжение 100 В и ток до 1.6 А, имеет низкое сопротивление открытого канала 0,22 Ом. Благодаря малому корпусу SOT-23-3 подходит для компактных схем управления нагрузкой и DC/DC-преобразователей.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 1.6 А |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Тип монтажа | SMD |
| Ms level | MSL1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Тип. время спада | 3.6ns |
| Тип. время нарастания | 2.1ns |
| Название компонента | IRLML0100TRPBF |
| Соотв. RoHS | Да |
| Импульсный ток стока | 7.0A |
| Напряжение, В | 100 В |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.2nC |
| Тип. входная емкость | 290pF |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Тип. заряд затвора | 2.5nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.5nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 27pF |
| Время задержки вкл. тип. | 2.2ns |
| Gate source leakage max | 100nA |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±16V |
| Время задержки выкл. тип. | 9.0ns |
| Макс. напряжение сток-исток | 100V |
| On resistance vgs 10v max | 220mΩ |
| Макс. время обрат. восстановления | 30ns |
| Тип. время восст. | 20ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| On resistance vgs 4 5v max | 235mΩ |
| Reverse recovery charge max | 20nC |
| Тип. заряд восст. | 13nC |
| Длительный ток стока 25°C | 1.6A |
| Continuous drain current 70c | 1.3A |
| Forward transconductance min | 5.7S |
| Internal gate resistance typ | 1.3Ω |
| Body diode forward voltage max | 1.3V |
| Gate source reverse leakage max | -100nA |
| Body diode pulsed source current | 7.0A |
| Drain source leakage current max | 20µA |
| Обр. проходная емкость тип. | 13pF |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.10 V/°C |
| Body diode continuous source current | 1.1A |
| Drain source leakage current 125c max | 250µA |
| Thermal resistance junction ambient max | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient t less10s max | 99°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?