Документация
Транзистор полевой IRLML0100TRPBF
В наличии
На своём складе
9 шт.
Норм. уп.: 3000
У поставщиков
2 600 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 7,08 |
| от 60 | 6,80 |
| от 120 | 6,61 |
| от 200 | 6,47 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:2 600 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 7,08 |
| от 60 | 6,80 |
| от 120 | 6,61 |
| от 200 | 6,47 |
Описание
Транзистор полевой Infineon IRLML0100TRPBF — компактный MOSFET в корпусе Micro3 (SOT-23). Выдерживает напряжение до 100 В, отличается низким зарядом затвора (2,5 нКл) и быстрым переключением. Подходит для импульсных источников питания, DC/DC-преобразователей и схем управления нагрузкой в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Tf | 3.6ns |
| Tr | 2.1ns |
| Заряд затвор-сток | 1.2nC |
| Заряд затвор-исток | 0.5nC |
| Заряд обратного восстановления | 20nC |
| TRR | 30ns |
| Ciss | 290pF |
| Coss | 27pF |
| Crss | 13pF |
| Td(вкл) | 2.2ns |
| Td(выкл) | 9.0ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±16V |
| Vsd макс. | 1.3V |
| Qg total | 2.5nC |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Уровень MSL | MSL1 |
| Idm импульсный | 7.0A |
| Ism pulsed | 7.0A |
| Pd макс. 25°C | 1.3W |
| Pd max 70c | 0.8W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Vbrdss min | 100V |
| Vgs порог макс. | 2.5V |
| Vgs порог мин. | 1.0V |
| Gfs forward | 5.7S |
| Rg internal | 1.3Ω |
| Непрерывный | 1.1A |
| Тип монтажа | SMD |
| Название компонента | IRLML0100TRPbF |
| Тип компонента | HEXFET Power MOSFET |
| Соотв. RoHS | Yes |
| Idss max at 100v | 250nA |
| Igss forward max | 100nA |
| Igss reverse max | -100nA |
| Vbrdss temp coef | 0.10V/°C |
| Ток стока непрерывный 25C | 1.6A |
| Непрерывный ток стока 70°C | 1.3A |
| Rds on max at 10v | 220mΩ |
| Rds on max at 4 5v | 235mΩ |
| Rth ja max transient | 99°C/W |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |