Документация
Транзистор полевой IRLML0100TRPBF
В наличии
На своём складе
9 шт.
Норм. уп.: 1
У поставщиков
1 600 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 8,55 |
| от 60 | 8,22 |
| от 120 | 7,94 |
| от 200 | 7,77 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:1 600 шт
Срок поставки: до 2 недель
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 8,55 |
| от 60 | 8,22 |
| от 120 | 7,94 |
| от 200 | 7,77 |
Описание
Транзистор полевой Infineon IRLML0100TRPBF — компактный MOSFET в корпусе Micro3 (SOT-23). Выдерживает напряжение до 100 В, отличается низким зарядом затвора (2,5 нКл) и быстрым переключением. Подходит для импульсных источников питания, DC/DC-преобразователей и схем управления нагрузкой в промышленной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Tf | 3.6ns |
| Tr | 2.1ns |
| MSL | MSL1 |
| Заряд затвор-сток | 1.2nC |
| Заряд затвор-исток | 0.5nC |
| Заряд обратного восстановления | 20nC |
| TRR | 30ns |
| Ciss | 290pF |
| Coss | 27pF |
| Crss | 13pF |
| Тип | Power MOSFET |
| Td(вкл) | 2.2ns |
| Td(выкл) | 9.0ns |
| Макс. Tj | 150°C |
| Tj мин. | -55°C |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Макс. Vds | 100V |
| Макс. Vgs | ±16V |
| Vsd макс. | 1.3V |
| Тип монтажа | SMD |
| Qg total | 2.5nC |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Время спада | 3.6ns |
| Уровень MSL | MSL1 |
| Время нарастания | 2.1ns |
| Idm импульсный | 7.0A |
| Ism pulsed | 7.0A |
| Pd макс. 25°C | 1.3W |
| Pd max 70c | 0.8W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Технология | HEXFET |
| Vbrdss min | 100V |
| Vgs порог макс. | 2.5V |
| Vgs порог мин. | 1.0V |
| Gfs forward | 5.7S |
| Артикул | IRLML0100TRPbF |
| Rg internal | 1.3Ω |
| Применение | Load/System Switch |
| Производитель | IRF |
| Непрерывный | 1.1A |
| Тип монтажа | SMD |
| Название компонента | IRLML0100TRPbF |
| Тип компонента | HEXFET Power MOSFET |
| Соотв. RoHS | Да |
| Idss max at 100v | 250nA |
| Igss forward max | 100nA |
| Igss reverse max | -100nA |
| Vbrdss temp coef | 0.10V/°C |
| Заряд сток-затвор | 1.2nC |
| Ток стока непрерывный 25C | 1.6A |
| Непрерывный ток стока 70°C | 1.3A |
| Вх. емкость | 290pF |
| Rds on max at 10v | 220mΩ |
| Полный заряд затвора | 2.5nC |
| Заряд затвор-исток | 0.5nC |
| Выходная емкость | 27pF |
| Rds on max at 4 5v | 235mΩ |
| Rds on max vgs 10v | 220mΩ |
| Rds on typ vgs 10v | 178mΩ |
| Время задержки включения | 2.2ns |
| Структура | N-канал |
| Rds on max vgs 4 5v | 235mΩ |
| Rds on typ vgs 4 5v | 190mΩ |
| Время задержки выключения | 9.0ns |
| Импульсный ток стока | 7.0A |
| Rth ja max transient | 99°C/W |
| Напр. диода | 1.3V |
| Время обратного восстановления | 20ns |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±16V |
| Заряд обратного восстановления | 13nC |
| Drain source voltage vds | 100V |
| Прямая крутизна | 5.7S |
| Internal gate resistance | 1.3Ω |
| Max power dissipation 25c | 1.3W |
| Max power dissipation 70c | 0.8W |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Длительный ток стока 25°C | 1.6A |
| Continuous drain current 70c | 1.3A |
| Drain source leakage current | 20µA |
| Обратная проходная емкость | 13pF |
| Pulsed source current body diode | 7.0A |
| Drain source leakage current 125c | 250µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Continuous source current body diode | 1.1A |
| Thermal resistance junction ambient t less 10s | 99°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?