Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 1.3Вт, 0,22 Ом
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
38 664 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:30 754 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,94 |
| от 700 | 4,93 |
| от 1 150 | 4,37 |
| от 1 925 | 3,92 |
| от 3 175 | 3,61 |
Склад 12
В наличии:7 900 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,18 |
| от 100 | 4,49 |
Склад 13
В наличии:10 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,40 |
| от 147 | 3,98 |
| от 294 | 3,57 |
| от 588 | 3,17 |
| от 1 175 | 2,90 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от HOTTECH. Компонент рассчитан на напряжение до 100 В, ток до 1.6 А и мощность 1.3 Вт, при этом сопротивление открытого канала составляет всего 0,22 Ом. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для использования в цепях управления питанием и коммутации нагрузки в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET N-channel |
| Наименование изделия | IRLML0100 |
| Вес | 0.008g |
| Маркировка | 0102 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 3.6ns |
| Время нарастания | 2.1ns |
| Размеры | Width max: 1.4mm; Width min: 1.2mm; Макс. высота: 1.15mm; Height min: 0.9mm; Макс. длина: 3.0mm; Мин. длина: 2.8mm; Lead pitch typ: 0.95mm |
| Rds(вкл) макс. | 240mΩ |
| Rds(вкл) тип. | 185mΩ |
| Применение | low power DC-DC converter, load switch |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Package pitch | 0.95mm |
| Gate resistance | 1.3Ω |
| Заряд сток-затвор | 1.2nC |
| Вх. емкость | 290pF |
| Макс. R вкл. | 240mΩ |
| On resistance typ | 185mΩ |
| Package lead span | 1.8mm to 2.0mm |
| Полный заряд затвора | 2.5nC |
| Заряд затвор-исток | 0.5nC |
| Выходная емкость | 27pF |
| Время задержки включения | 2.2ns |
| Структура | N-канал |
| Gate resistance typ | 1.3Ω |
| Время задержки выключения | 9ns |
| Импульсный ток стока | 7A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Тип. заряд затвор-сток | 1.2nC |
| Тип. входная емкость | 290pF |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Pulsed source current | 7A |
| Тип. заряд затвора | 2.5nC |
| Turn on rise time typ | 2.1ns |
| Тип. заряд затвор-исток | 0.5nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Выходная емкость тип. | 27pF |
| Turn off fall time typ | 3.6ns |
| Время задержки вкл. тип. | 2.2ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Время задержки выкл. тип. | 9ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Continuous drain current | 2A |
| Макс. напряжение сток-исток | 100V |
| Прямая крутизна | 5S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| On resistance conditions | VGS=10V, ID=2A |
| Package dimensions width | 2.25mm to 2.55mm |
| Continuous source current | 1.1A |
| Тип. прямое напряжение диода | 1.3V |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Package dimensions height | 0.9mm to 1.15mm |
| Package dimensions length | 2.8mm to 3.0mm |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.2V |
| Continuous drain current tc | 25°C |
| Длительный ток стока 25°C | 2A |
| Continuous drain current 70c | 1.5A |
| Обратная проходная емкость | 13pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Обр. проходная емкость тип. | 13pF |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1μA |
| Body diode reverse recovery time max | 30ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 20ns |
| Zero gate voltage drain current 125c | 10μA |
| Maximum body diode continuous current | 1.1A |
| Body diode reverse recovery charge max | 20nC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 13nC |
| Термосопротивление переход-среда | 99°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?