+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRLML0100
Документация

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 1.3Вт, 0,22 Ом

Артикул:858408
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
У поставщиков
50 351 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии24 010 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
продаётся от 200 штпри 200 — 6,47 ₽
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии7 800 шт
от 1 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 1 000 штпри 1 000 — 4,24 ₽
100 шт · Склад 39 · 539,00 ₽
Описание

Транзистор полевой MOSFET N-канальный от HOTTECH. Компонент рассчитан на напряжение до 100 В, ток до 1.6 А и мощность 1.3 Вт, при этом сопротивление открытого канала составляет всего 0,22 Ом. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для использования в цепях управления питанием и коммутации нагрузки в портативной и бытовой электронике.

Технические характеристики
ТипMOSFET N-channel
Наименование изделияIRLML0100
Вес0.008g
Маркировка0102
КорпусSOT-23
Тип монтажаSMD
Время спада3.6ns
Время нарастания2.1ns
РазмерыШирина, макс.: 1.4mm; Ширина мин.: 1.2mm; Макс. высота: 1.15mm; Высота, мин.: 0.9mm; Макс. длина: 3.0mm; Мин. длина: 2.8mm; Lead pitch typ: 0.95mm
Rds(вкл) макс.240mΩ
Rds(вкл) тип.185mΩ
Применениеlow power DC-DC converter, load switch
Материал корпусалитой пластик, UL 94V-0
Шаг выводов корпуса0.95mm
Сопротивление затвора1.3Ω
Заряд сток-затвор1.2nC
Вх. емкость290pF
Макс. R вкл.240mΩ
Сопротивление во включенном состоянии, тип.185mΩ
Package lead span1.8mm to 2.0mm
Полный заряд затвора2.5nC
Заряд затвор-исток0.5nC
Выходная емкость27pF
Время задержки включения2.2ns
СтруктураN-канал
Тип. сопротивление затвора1.3Ω
Время задержки выключения9ns
Импульсный ток стока7A
Напр. диода1.3V
Тип. заряд затвор-сток1.2nC
Тип. входная емкость290pF
Мощн. рас. 25°C1.3W
Рассеиваемая мощность при 70 °C0.8W
Импульсный ток истока7A
Тип. заряд затвора2.5nC
Время нарастания при включении, тип.2.1ns
Тип. заряд затвор-исток0.5nC
Коэффициент снижения мощности0.01W/°C
Выходная емкость тип.27pF
Время спада при выключении, тип.3.6ns
Время задержки вкл. тип.2.2ns
Напряжение затвор-исток макс.±20V
Время задержки выкл. тип.9ns
Тип упаковкиЛента и катушка (лента в катушке)
Непрерывный ток стока2A
Макс. напряжение сток-исток100V
Прямая крутизна5S
Макс. темп. перехода150°C
Условия измерения сопротивленияVGS=10V, ID=2A
Ширина корпуса2.25mm to 2.55mm
Длительный ток истока1.1A
Тип. прямое напряжение диода1.3V
Ток утечки затвор-подложка±100nA
Высота корпуса0.9mm to 1.15mm
Длина корпуса2.8mm to 3.0mm
Диап. темп. хр.-55°C to 150°C
Пороговое напряжение затвора макс.2.5V
Пороговое напряжение затвора мин.1.2V
Continuous drain current tc25°C
Длительный ток стока 25°C2A
Непрерывный ток стока, 70 °C1.5A
Обратная проходная емкость13pF
Описание (англ.)MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Напряжение пробоя сток-исток100V
Обр. проходная емкость тип.13pF
Ток стока при нулевом напряжении затвора, 25 °C1μA
Время обратного восстановления диода, макс.30ns
Тип. время восстановления диода20ns
Ток стока при нулевом затворе, 125 °C10μA
Maximum body diode continuous current1.1A
Заряд обратного восстановления диода, макс.20nC
Тип. заряд восстановления диода13nC
Термосопротивление переход-среда99°C/W
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3

Заметили ошибку в описании или параметрах?