Документация
IRLML0040TRPBF, [SOT23] транзистор N канал 40В 3.6А Micro3
У поставщика
ПроизводительTRR
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
494 шт.
Норм. уп.: 500
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт7,26 ₽
Сумма726,00 ₽
В наличии354 шт
от 100 штюрлицам и ИП
100 шт · Склад 39 · 726,00 ₽
Описание
Транзистор IRLML0040TRPBF от TRR — N-канальный MOSFET в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Работает при напряжении до 30 В и токе до 3,6 А, имеет низкое сопротивление открытого канала 0,030 Ом при 10 В. Подходит для коммутации нагрузки в компактных блоках питания, DC/DC-преобразователях и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-канальный MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Ширина корпуса | 2.10 to 2.64 mm |
| Шаг выводов | 0.95 mm |
| Высота корпуса | 0.89 to 1.12 mm |
| Длина корпуса | 2.80 to 3.04 mm |
| Структура | N-канал |
| Сопротивление затвора, макс. | 8.8Ω |
| Сопротивление затвора, мин. | 0.8Ω |
| Тип. сопротивление затвора | 4.4Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 25A |
| Тип. входная емкость | 335pF |
| Сопротивление открытия, VGS 10 В | 0.030Ω |
| Сопротивление во включённом состоянии при Vgs 4,5 В | 0.033Ω |
| Выходная емкость тип. | 45pF |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 0.7V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.1V |
| Пиковая температура пайки | 260°C |
| Max power dissipation ta 25c | 1.1W |
| Max power dissipation tc 25c | 1.7W |
| Общий заряд затвора Vgs 10 В, тип. | 4.5nC |
| Общий заряд затвора Vgs 4,5 В, тип. | 2.1nC |
| Длительный ток стока при Ta 25 °C | 5.3A |
| Длительный ток стока при Ta 70 °C | 5.0A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | 6.5A |
| Continuous drain current tc 70c | 6.0A |
| Обр. проходная емкость тип. | 17pF |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 75°C/W |
| Тип. тепловое сопротивление переход-основание | 60°C/W |
| Continuous source drain diode current ta 25c | 0.9A |
| Continuous source drain diode current tc 25c | 1.4A |
| Тип. тепловое сопротивление переход-среда | 90°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient max t 5s | 115°C/W |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда, макс. установившееся | 130°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?