Документация
Транзистор полевой IRLML0030TRPBF
У поставщика
У поставщиков
10 470 шт.
Норм. уп.: 500
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт8,29 ₽
Сумма41 450,00 ₽
В наличии10 470 шт
от 5 000 штюрлицам и ИП
5 000 шт · Склад 12 · 41 450,00 ₽
Описание
Полевой транзистор Infineon IRLML0030TRPBF выполнен в компактном корпусе SOT-23. Он рассчитан на ток до 3,6 А и напряжение до 30 В, отличается низким сопротивлением открытого канала. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и цепях питания.
Технические характеристики
| MSL | MSL1 |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Тип FET | N-канальный |
| Тип монтажа | SMD |
| Vgs (Макс.) | ±20V |
| Время спада | 4.4ns |
| Без свинца | Да |
| Уровень MSL | 1 |
| Время нарастания | 4.4ns |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Технология | HEXFET силовой MOSFET |
| Артикул | IRLML0030TRPbF |
| Применение | Load/System Switch |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | International Rectifier |
| Тип монтажа | поверхностный монтаж |
| Корпус | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Макс. Rds(on) при 10 В | 27mΩ |
| Rds(on) при 10 В, тип. | 22mΩ |
| Соотв. RoHS | Да |
| Макс. Rds(on) при 4,5 В | 40mΩ |
| Тип. Rds(on) при 4,5 В | 33mΩ |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 |
| Заряд сток-затвор | 1.1nC |
| Вх. емкость | 382pF |
| Полный заряд затвора | 2.6nC |
| Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id | 2.3V @ 25µA |
| Заряд затвор-исток | 0.8nC |
| Выходная емкость | 84pF |
| RDS(on) макс. при VGS 10 В | 27mΩ |
| Тип. Rds(on) при Vgs 10 В | 22mΩ |
| Время задержки включения | 5.2ns |
| RDS(on), макс. при VGS 4,5 В | 40mΩ |
| Тип. RDS(on) при VGS 4,5 В | 33mΩ |
| Время задержки выключения | 7.4ns |
| Импульсный ток стока | 21A |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напр. диода | 1.0V |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.8W |
| Импульсный ток истока | 21A |
| Время обратного восстановления | 11ns (typ), 17ns (max) |
| Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs | 27mOhm @ 5.2A, 10V |
| Входная ёмкость Ciss | 382pF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Рассеиваемая мощность (Макс.) | 1.3W (Ta) |
| Корпус по производителю | Micro3™/SOT-23 |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Выходная ёмкость Coss | 84pF |
| Заряд обратного восстановления | 4.0nC (typ), 6.0nC (max) |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Напряжение сток-исток, В | 30V |
| Прямая крутизна | 9.5S |
| Заряд Миллера затвор-сток | 1.1nC |
| Промышленная квалификация | Да |
| Внутреннее сопротивление затвора | 2.3Ω |
| Длительный ток истока | 1.6A |
| Ток утечки сток-исток, 125 °C | 150μA |
| Макс. рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.3W |
| Макс. рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.8W |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.3V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.7V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Макс. напряжение затвор-исток VGS | ±20V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V |
| Длительный ток стока 25°C | 5.3A |
| Непрерывный ток стока, 70 °C | 4.3A |
| Ток утечки сток-исток | 1μA |
| Обратная проходная емкость | 39pF |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Импульсный ток истока, диод тела | 21A |
| Обратная проходная ёмкость (Crss) | 39pF |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.02V/°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds | 382 pF @ 15 V |
| Длительный ток истока через диод | 1.6A |
| Напряжение управления (Макс. Rds вкл., Мин. Rds вкл.) | 4.5V, 10V |
| Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C | 5.3A (Ta) |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 100°C/W |
| Тепловое сопротивление кристалл-среда, t=10 с | 99°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, t < 10 с | 99°C/W |
| Напряжение, В | 30 |
| Ток, А | 5,2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?