Документация
Транзистор полевой IRLML0030TRPBF
У поставщика
У поставщиков
39 479 шт.
Норм. уп.: 500
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 200 | 6,08 |
| от 400 | 5,71 |
| от 800 | 5,34 |
| от 2 000 | 5,09 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:28 869 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 68 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10,18 |
| от 305 | 9,03 |
| от 609 | 8,11 |
| от 1 217 | 7,34 |
| от 3 000 | 6,83 |
Склад 12
В наличии:10 610 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 10,35 |
| от 500 | 8,29 |
Описание
Полевой транзистор Infineon IRLML0030TRPBF выполнен в компактном корпусе SOT-23. Он рассчитан на ток до 3,6 А и напряжение до 30 В, отличается низким сопротивлением открытого канала. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и цепях питания.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| FET Type | N-Channel |
| Тип монтажа | SMD |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Время спада | 4.4ns |
| Уровень MSL | 1 |
| Время нарастания | 4.4ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Rds on max 10v | 27mΩ |
| Rds on typ 10v | 22mΩ |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on max 4 5v | 40mΩ |
| Rds on typ 4 5v | 33mΩ |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 |
| Заряд сток-затвор | 1.1nC |
| Вх. емкость | 382pF |
| Полный заряд затвора | 2.6nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 25µA |
| Заряд затвор-исток | 0.8nC |
| Выходная емкость | 84pF |
| Время задержки включения | 5.2ns |
| Время задержки выключения | 7.4ns |
| Импульсный ток стока | 21A |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напр. диода | 1.0V |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Pulsed source current | 21A |
| Время обратного восстановления | 11ns (typ), 17ns (max) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.2A, 10V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Supplier Device Package | Micro3™/SOT-23 |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 4.0nC (typ), 6.0nC (max) |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Прямая крутизна | 9.5S |
| Internal gate resistance | 2.3Ω |
| Continuous source current | 1.6A |
| Drain source leakage 125c | 150μA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.3V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.7V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V |
| Длительный ток стока 25°C | 5.3A |
| Continuous drain current 70c | 4.3A |
| Drain source leakage current | 1μA |
| Обратная проходная емкость | 39pF |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.02V/°C |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 382 pF @ 15 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A (Ta) |
| Thermal resistance junction ambient max | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient t 10s | 99°C/W |