Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRLML0030TRPBF, Транзистор полевой Infineon Technologies, N-канальный, 30В, 1.3Вт, корпус SOT-23-3
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
28 510 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:28 510 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 64 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,07 |
| от 305 | 9,82 |
| от 609 | 8,81 |
| от 1 217 | 7,98 |
| от 3 000 | 7,43 |
Описание
Транзистор полевой N-канального типа от Infineon Technologies. Компонент предназначен для работы в цепях с напряжением до 30 В и мощностью рассеивания 1,3 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23-3, что позволяет использовать его в устройствах с плотным монтажом. Подходит для применения в схемах коммутации нагрузки и управления питанием.
Технические характеристики
| MSL | MSL1 |
| Тип | MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 2.3 А |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| R ds on | 27mΩ max @ Vgs=10V, Id=5.2A; 40mΩ max @ Vgs=4.5V, Id=4.2A; typ 22mΩ @10V, 33mΩ @4.5V |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-channel |
| Компонент | IRLML0030TRPBF |
| Время спада | 4.4ns |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 3 |
| Время нарастания | 4.4ns |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Без галогенов | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Тестовая частота | 1MHz |
| Мощность, Вт | 1,3 |
| Напряжение пробоя | 30V |
| Gate charge total | 2.6nC |
| Заряд сток-затвор | 1.1nC |
| Вх. емкость | 382pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.3W @ TA=25°C; 0.8W @ TA=70°C |
| Threshold voltage | 1.3V min, 1.7V typ, 2.3V max |
| Заряд затвор-исток | 0.8nC |
| Выходная емкость | 84pF |
| Время задержки включения | 5.2ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 7.4ns |
| Напряжение сток-исток | 30V |
| Импульсный ток стока | 21A |
| Напряжение, В | 30 В |
| Напр. диода | 1.0V max |
| Время обратного восстановления | 11ns typ, 17ns max |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Заряд обратного восстановления | 4.0nC typ, 6.0nC max |
| Continuous drain current | 5.3A @ TA=25°C, Vgs=10V; 4.3A @ TA=70°C, Vgs=10V |
| Прямая крутизна | 9.5S min |
| Industrial qualification | Да |
| Internal gate resistance | 2.3Ω typ |
| Source current body diode | 1.6A continuous; 21A pulsed |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Gate source leakage current | 100nA @ Vgs=20V; -100nA @ Vgs=-20V |
| Drain source leakage current | 1μA @ Vds=24V, Vgs=0V; 150μA @ Vds=24V, Tj=125°C |
| Обратная проходная емкость | 39pF |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.02 V/°C |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W max; 99°C/W for t<10s |
Заметили ошибку в описании или параметрах?