Документация
Транзисторы / Транзисторы смд / Транзистор IRLML0030 / IRLML0030TRPBF IR, IRLML0030 KLS, IRLML0030TRPBF INFINEON, TKMN2306 KOME, GM3404 KLS, / SOT-23
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
136 778 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:116 627 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 202 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,44 |
| от 1 421 | 2,90 |
| от 3 000 | 2,53 |
| от 6 000 | 2,24 |
| от 12 000 | 2,08 |
Склад 14
В наличии:10 151 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 3,35 |
Склад 12
В наличии:10 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 1000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,14 |
| от 100 | 4,14 |
Описание
Транзистор IRLML0030 от HOTTECH — это N-канальный MOSFET в миниатюрном корпусе SOT-23. Компонент предназначен для коммутации низковольтных нагрузок и управления питанием в компактных электронных устройствах. Отличается низким сопротивлением открытого канала и малым пороговым напряжением, что обеспечивает эффективную работу при логических уровнях.
Технические характеристики
| Вес | 0.008 grams |
| Тип | MOSFET |
| Ток | 2.3 А |
| Маркировка | N55G |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A max: 1.150 mm; A min: 0.900 mm; B max: 0.500 mm; B min: 0.300 mm; C max: 0.150 mm; C min: 0.080 mm; D max: 3.000 mm; D min: 2.800 mm; E max: 1.400 mm; E min: 1.200 mm; E typ: 0.950 mm; L ref: 0.550 mm; A1 max: 0.100 mm; A1 min: 0.000 mm; A2 max: 1.050 mm; A2 min: 0.900 mm; E1 max: 2.550 mm; E1 min: 2.250 mm; L1 max: 0.500 mm; L1 min: 0.300 mm; E1 max2: 2.000 mm; E1 min2: 1.800 mm; Theta max: 8°; Theta min: 0° |
| Тип устройства | N-Channel MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Мощность | 1.25 Вт |
| Заряд сток-затвор | 1.1 nC |
| Вх. емкость | 382 pF |
| Полный заряд затвора | 2.6 nC |
| Время нарастания | 4.4 ns |
| Заряд затвор-исток | 0.8 nC |
| Выходная емкость | 84 pF |
| Время спада | 4.4 ns |
| Время задержки включения | 5.2 ns |
| Время задержки выключения | 7.4 ns |
| Импульсный ток стока | 21A |
| Напряжение | 30 В |
| Diode forward current | 1.6A |
| Напр. диода | 1.2V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Power dissipation ta25c | 1.3W |
| Power dissipation ta70c | 0.8W |
| Voltage gate source max | ±20V |
| Прямая крутизна | 2.8 S |
| Internal gate resistance | 2.3 Ω |
| Voltage drain source max | 30V |
| Gate body leakage current | ±100 nA |
| Макс. время обрат. восстановления | 17 ns |
| Тип. время восст. | 11 ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.3V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.3V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.7V |
| Reverse recovery charge max | 6.0 nC |
| Тип. заряд восст. | 4.0 nC |
| Обратная проходная емкость | 39 pF |
| Continuous drain current ta25c | 5.3A |
| Continuous drain current ta70c | 4.3A |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Pulsed source current body diode | 21A |
| Zero gate voltage drain current ta25c | 1 μA |
| Storage and junction temperature range | -55 to +150 °C |
| Термосопротивление переход-среда | 100 °C/W |
| Zero gate voltage drain current tj125c | 150 μA |
| Drain source on resistance vgs10v id5v2a max | 27 mΩ |
| Drain source on resistance vgs10v id5v2a typ | 22 mΩ |
| Drain source on resistance vgs4v5 id4v2a max | 40 mΩ |
| Drain source on resistance vgs4v5 id4v2a typ | 33 mΩ |