+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRLL024NTRPBF
Документация

Силовой транзистор IRLL024NTRPBF

Артикул:94026
У поставщика
ПроизводительInfineon
Ед. изм.шт
У поставщиков
8 шт.
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 136,80
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:8 шт
Срок поставки: до 2 недель
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 136,80
Описание

Силовой транзистор IRLL024NTRPBF производства Infineon представляет собой N-канальный MOSFET в компактном корпусе для поверхностного монтажа. Компонент оптимизирован для работы в цепях с низким напряжением и обеспечивает малое сопротивление канала в открытом состоянии. Применяется в схемах управления нагрузкой, DC/DC-преобразователях и системах питания.

Технические характеристики
GFS3.3S
I d3.1A
T f25ns
T r21ns
Q gd5.5nC to 8.3nC
Q gs1.5nC to 2.3nC
Q rr63nC to 94nC
T rr39ns to 58ns
V gs±16V
V sd1.0V
C iss510pF
C oss140pF
C rss58pF
I dss25µA
V dss55V
T d on7.4ns
ТипMOSFET
I d 70c2.5A
КорпусSOT-223 (TO-261AA)
R ds on0.065Ω
T d off18ns
V gs th1.0V to 2.0V
Тип монтажаSMD
V(BR)DSS55V
Без свинцаДа
Q g total10.4nC to 15.6nC
T j t stg-55 to +150°C
I dss 125c250µA
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
I dm pulsed12A
I sm pulsed12A
АртикулIRLL024NPbF
I gss forward100nA
I gss reverse-100nA
R ds on vgs4v0.100Ω
R ds on vgs5v0.080Ω
I s continuous3.1A
R ds on vgs10v0.065Ω
Avalanche ratedДа
E ar repetitive0.1mJ
Мощность, Вт2,1
E as single pulse120mJ
R thja 1inch copper60°C/W
V br dss temp coeff0.048V/°C
P d 25c 1inch copper2.1W
R thja min footprint120°C/W
Напряжение, В55 В
P d 25c min footprint1.0W
I ar avalanche current3.1A
Коэффициент снижения мощности8.3mW/°C
Dv dt peak diode recovery5.0V/ns
I d 25c vgs10v 1inch copper4.4A
I d 25c vgs10v min footprint3.1A

Заметили ошибку в описании или параметрах?