Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
15 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:15 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 78,89 |
| от 17 | 77,44 |
| от 34 | 75,51 |
| от 67 | 72,78 |
| от 200 | 69,45 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay. Рабочее напряжение до 60 В, ток до 1,7 А, корпус HVMDIP-4. Подходит для коммутации нагрузки в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | HVMDIP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 26ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 110ns |
| Конфигурация | N-Channel MOSFET |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 6.4nC |
| Вх. емкость | 400pF |
| Полный заряд затвора | 8.4nC |
| Body diode voltage | 1.6V |
| Заряд затвор-исток | 2.6nC |
| Выходная емкость | 170pF |
| Время задержки включения | 9.3ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±10V |
| Время задержки выключения | 17ns |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Импульсный ток стока | 14A |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Коэффициент снижения мощности | 0.0083W/°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 1.9S |
| Peak diode recovery dvdt | 4.5V/ns |
| Internal drain inductance | 4.0nH |
| Maximum power dissipation | 1.3W |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Internal source inductance | 6.0nH |
| Длительный ток стока 25°C | 1.7A |
| Pulsed diode forward current | 14A |
| Обратная проходная емкость | 42pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
| Непрерывный ток стока 100°C | 1.2A |
| Энергия одиноч. импульса | 490mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 60V |
| Body diode reverse recovery time | 130ns |
| Drain source on resistance vgs 4v | 0.28Ω |
| Drain source on resistance vgs 5v | 0.20Ω |
| Body diode reverse recovery charge | 0.65µC |
| Zero gate voltage drain current 25c | 25µA |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +175°C |
| Zero gate voltage drain current 150c | 250µA |
| Continuous source drain diode current | 1.7A |
| Термосопротивление переход-среда | 120°C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | 0.070V/°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?