Документация
Транзистор IRLB3034PBF
У поставщика
У поставщиков
636 шт.
Норм. уп.: 20
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:456 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 8 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 104,33 |
| от 23 | 96,85 |
| от 50 | 90,75 |
| от 100 | 86,18 |
| от 200 | 82,78 |
Склад 12
В наличии:180 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 20
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 227,70 |
| от 20 | 202,02 |
Описание
Транзистор IRLB3034PBF производства Infineon — мощный N-канальный MOSFET, выполненный в корпусе TO-220. Отличается сверхнизким сопротивлением открытого канала, что минимизирует потери проводимости. Предназначен для высокоэффективных импульсных источников питания, преобразователей и нагрузочных ключей с низким напряжением управления.
Технические характеристики
| Тип | Power MOSFET |
| Корпус | TO-220AB |
| Особенности | Optimized for Logic Level Drive, Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS, Superior R*Q at 4.5V VGS, Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness, Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA, Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability, Lead-Free |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 355ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 827ns |
| Артикул | IRLB3034PBF |
| Применение | DC Motor Drive, High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply, High Speed Power Switching, Hard Switched and High Frequency Circuits |
| Fall time tf | 355ns |
| Rise time tr | 827ns |
| Тип монтажа | THT |
| Rdson max 10v | 1.7mΩ |
| Rdson typ 10v | 1.4mΩ |
| Rdson max 4 5v | 2.0mΩ |
| Rdson typ 4 5v | 1.6mΩ |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Sync gate charge | 54nC |
| Заряд сток-затвор | 54nC |
| Заряд затвор-исток | 29nC |
| Диапазон температур хранения | -55 to 175°C |
| Время задержки включения | 65ns |
| Структура | N-канал |
| Время задержки выключения | 97ns |
| Импульсный ток стока | 1372A |
| Total gate charge qg | 108nC typ, 162nC max |
| Avalanche current max | 195A |
| Gate drain charge qgd | 54nC |
| Тип. входная емкость | 10315pF |
| Температура пайки | 300°C (10 seconds) |
| Заряд затвора макс. | 162nC |
| Тип. заряд затвора | 108nC |
| Gate source charge qgs | 29nC |
| Input capacitance ciss | 10315pF |
| Коэффициент снижения мощности | 2.5 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 1980pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Output capacitance coss | 1980pF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 40V |
| Прямая крутизна | 286S |
| Internal gate resistance | 2.1Ω |
| Pulsed drain current idm | 1372A |
| Turn on delay time td on | 65ns |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Diode forward voltage vsd | 1.3V |
| Maximum power dissipation | 375W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.6 V/ns |
| Pulsed source current ism | 1372A |
| Reverse recovery time trr | 39ns @ 25°C, 41ns @ 125°C |
| Soldering temperature 10s | 300°C |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Turn off delay time td off | 97ns |
| Gate source voltage vgs max | ±20V |
| Operating junction temp max | 175°C |
| Operating junction temp min | -55°C |
| Reverse recovery charge qrr | 39nC @ 25°C, 46nC @ 125°C |
| Continuous source current is | 343A |
| Drain source voltage vds max | 40V |
| Forward transconductance gfs | 286S |
| Max power dissipation pd 25c | 375W |
| Total gate charge sync qsync | 54nC |
| Описание (англ.) | N-LogL 40V 195A 375W 0,0017R |
| Avalanche energy single pulse | 255mJ |
| Gate threshold voltage vgs th | 1.0V min, 2.5V max |
| Reverse recovery current irrm | 1.7A |
| Diode reverse recovery time 25c | 39ns |
| Gate source leakage forward 20v | 100nA |
| Gate source leakage reverse 20v | -100nA |
| Internal gate resistance rg int | 2.1Ω |
| Diode reverse recovery time 125c | 41ns |
| Ток утечки сток-исток при 25°C | 20µA |
| Gate source leakage current igss | 100nA @ VGS=20V; -100nA @ VGS=-20V |
| Pulsed source current body diode | 1372A |
| Обр. проходная емкость тип. | 935pF |
| Thermal resistance case sink typ | 0.5 °C/W |
| Diode reverse recovery charge 25c | 39nC |
| Drain source leakage current 125c | 250µA |
| Drain source leakage current idss | 20µA @ VDS=40V, VGS=0V; 250µA @ 125°C |
| Reverse transfer capacitance crss | 935pF |
| Single pulse avalanche energy eas | 255mJ |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.04V/°C |
| Diode reverse recovery charge 125c | 46nC |
| Diode reverse recovery current 25c | 1.7A |
| Continuous source current body diode | 343A |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 175°C |
| Thermal resistance junction case max | 0.4 °C/W |
| Drain source breakdown voltage vbrdss | 40V |
| Thermal resistance case to sink rthcs | 0.5°C/W |
| Thermal resistance junction ambient max | 62 °C/W |
| Effective output capacitance time related | 2986pF |
| Thermal resistance junction to case rthjc | 0.4°C/W |
| Effective output capacitance energy related | 2378pF |
| Continuous drain current 25c package limited | 195A |
| Continuous drain current 25c silicon limited | 343A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 62°C/W |
| Continuous drain current 100c silicon limited | 243A |
| Continuous drain current id 25c package limited | 195A |
| Continuous drain current id 25c silicon limited | 343A |
| Drain source breakdown voltage temp coefficient | 0.04 V/°C |
| Static drain source on resistance rds on vgs10v | 1.4mΩ typ, 1.7mΩ max |
| Continuous drain current id 100c silicon limited | 243A |
| Static drain source on resistance rds on vgs4 5v | 1.6mΩ typ, 2.0mΩ max |
| Effective output capacitance time related coss eff tr | 2986pF |
| Effective output capacitance energy related coss eff er | 2378pF |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 195 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 375 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?