Документация
Транзистор полевой IRL40SC228 / N-канал, D2PAK-7, 557А, 40В
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
506 шт.
Норм. уп.: 800
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:506 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 191,35 |
| от 24 | 180,24 |
| от 47 | 171,43 |
| от 94 | 163,69 |
| от 187 | 158,46 |
Описание
Транзистор полевой IRL40SC228 производства Infineon — мощный N-канальный MOSFET. Компонент выполнен в корпусе D2PAK-7 и рассчитан на ток до 557 А при напряжении 40 В. Предназначен для силовых цепей с высокими коммутационными нагрузками, обеспечивая низкое сопротивление открытого канала.
Технические характеристики
| Тип | N-channel MOSFET |
| Rg typ | 2.2 Ω |
| Tf тип. | 176 ns |
| Tr тип. | 210 ns |
| Gfs тип. | 264 S |
| Корпус | D2PAK-7 |
| Qgd тип. | 104 nC |
| Qgs тип. | 57 nC |
| Макс. Vds | 40V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип. Ciss | 19680 pF |
| Coss тип. | 2305 pF |
| Тип. Crss | 1575 pF |
| Тип монтажа | SMD |
| V sd max | 1.2V |
| Ток стока импульсный | 1440A |
| Без свинца | Да |
| Td(вкл) тип. | 67 ns |
| Td(выкл) тип. | 222 ns |
| Vgs порог макс. | 2.4V |
| Vgs порог мин. | 1.0V |
| Артикул | IRL40SC228 |
| Qrr typ 25c | 43 nC |
| Trr typ 25c | 42 ns |
| Применение | Brushed Motor drive, BLDC Motor drive, Battery powered circuits, Half-bridge and full-bridge topologies, Synchronous rectifier, Resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC Inverters |
| Без галогенов | Да |
| Макс. IDSS при 25°C | 1.0 µA |
| Irrm typ 25c | 1.7A |
| Qg total max | 307 nC |
| Тип. полный заряд затвора | 205 nC |
| Qrr typ 125c | 45 nC |
| Trr typ 125c | 43 ns |
| IDSS макс. 125°C | 150 µA |
| Rds on max 10v | 0.65 mΩ |
| Rds on typ 10v | 0.50 mΩ |
| Соотв. RoHS | Да |
| Coss eff er typ | 2690 pF |
| Coss eff tr typ | 3390 pF |
| Коэф. сниж. | 2.8 W/°C |
| Rds on max 4.5v | 0.90 mΩ |
| Rds on typ 4.5v | 0.60 mΩ |
| Dv dt peak diode | 2.0 V/ns |
| Igss forward max | 100 nA |
| Igss reverse max | -100 nA |
| Кол-во в упаковке | 800 |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| E as single pulse 1 | 1275 mJ |
| E as single pulse 2 | 2150 mJ |
| Package standard pack | Tape and Reel |
| Мощн. рас. 25°C | 416W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Body diode pulsed current | 1440A |
| Id continuous silicon 25c | 557A |
| Id continuous silicon 100c | 393A |
| Operating junction temp max | 175°C |
| Operating junction temp min | -55°C |
| Breakdown voltage temp coeff | 0.031 V/°C |
| Описание (англ.) | MOSFET, N-CH, 40V, 360A, TO-263-3 |
| Body diode continuous current | 557A |
| Thermal resistance case sink typ | 0.50 °C/W |
| Id continuous package limited 25c | 360A |
| Thermal resistance junction case max | 0.36 °C/W |
| Thermal resistance junction ambient max | 62 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?