Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 11 А, 58 Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
6 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 48,43 |
| от 7 | 47,37 |
| от 14 | 45,83 |
| от 27 | 43,98 |
| от 50 | 41,89 |
Описание
Биполярный транзистор IGBT от Infineon рассчитан на напряжение 600 В и ток до 11 А при мощности 58 Вт. Выполнен в стандартном корпусе TO-220. Подходит для импульсных источников питания и схем управления двигателями в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| V ces | 600V |
| I c 25c | 11A |
| I f 25c | 8.0A |
| P d 25c | 58W |
| Корпус | TO-220AB |
| T j max | 175°C |
| V f typ | 1.7V (at 4A, 25°C) |
| I c 100c | 7.0A |
| I f 100c | 5.0A |
| Тип монтажа | Выводной |
| P d 100c | 29W |
| T sc min | 5µs |
| C ies typ | 250pF |
| C oes typ | 20pF |
| C res typ | 7.1pF |
| I c pulse | 12A |
| T stg max | 175°C |
| T stg min | -40°C |
| I c clamped | 16A |
| Артикул | IRGB4607DPbF |
| T f 25c typ | 10ns |
| T r 25c typ | 15ns |
| V ce on typ | 1.75V (at 4A, 25°C) |
| V ge th max | 6.5V |
| V ge th min | 4.0V |
| E on 25c typ | 140µJ |
| E off 25c typ | 62µJ |
| E on 175c typ | 220µJ |
| Q g total typ | 9.0nC |
| E off 175c typ | 92µJ |
| I rr diode typ | 5.1A |
| R theta cs typ | 0.50 °C/W |
| T d on 25c typ | 27ns |
| T rr diode typ | 48ns |
| E rec diode typ | 7.4µJ |
| E total 25c typ | 202µJ |
| T d off 25c typ | 120ns |
| E total 175c typ | 312µJ |
| R theta jc igbt max | 2.6 °C/W |
| R theta ja to220 max | 62 °C/W |
| R theta jc diode max | 8.3 °C/W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Описание (англ.) | IGBT 600V 11A 58W TO220 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?