Документация
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А, 56 Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
23 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:23 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 65,23 |
| от 6 | 63,95 |
| от 11 | 62,15 |
| от 22 | 59,90 |
| от 50 | 57,27 |
Описание
Транзистор IGBT от Infineon рассчитан на напряжение 600 В и ток до 8 А при мощности 56 Вт. Выполнен в стандартном корпусе TO-220 для удобного монтажа. Подходит для импульсных источников питания и схем управления двигателями в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Вес | 1.44g |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Без свинца | Да |
| Технология | Trench IGBT |
| Vce on 25c | 1.75V |
| Описание | IGBT with ultrafast soft recovery diode |
| Артикул | IRGB4059DPBF |
| Vce on 150c | 2.15V |
| Vce on 175c | 2.20V |
| Channel type | n-channel |
| Fall time 25c | 15ns |
| Rise time 25c | 10ns |
| Fall time 175c | 35ns |
| Rise time 175c | 15ns |
| Vce on 25c max | 2.05V |
| Напряжение пробоя | 600V |
| Fall time 25c max | 20ns |
| Вх. емкость | 240pF |
| Rise time 25c max | 14ns |
| Полный заряд затвора | 9nC |
| Выходная емкость | 25pF |
| Gate emitter charge | 2nC |
| Collector current 25c | 8A |
| Gate collector charge | 4nC |
| Мощн. рас. 25°C | 56W |
| Время обратного восстановления | 55ns |
| Температура пайки | 300°C for 10s |
| Collector current 100c | 4A |
| Power dissipation 100c | 28W |
| Turn on delay time 25c | 25ns |
| Reverse recovery energy | 145µJ |
| Turn off delay time 25c | 65ns |
| Turn on delay time 175c | 20ns |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 2.0S |
| Pulsed collector current | 16A |
| Total switching loss 25c | 110µJ |
| Turn off delay time 175c | 85ns |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 600V |
| Diode forward current 25c | 8A |
| Diode forward voltage 25c | 1.60V |
| Diode max forward current | 16A |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Total switching loss 175c | 210µJ |
| Diode forward current 100c | 4A |
| Diode forward voltage 175c | 1.30V |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 6.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 4.0V |
| Turn on delay time 25c max | 33ns |
| Turn on switching loss 25c | 35µJ |
| Turn off delay time 25c max | 75ns |
| Turn off switching loss 25c | 75µJ |
| Turn on switching loss 175c | 90µJ |
| Breakdown voltage temp coeff | 0.3V/°C |
| Gate emitter leakage current | ±100nA |
| Обратная проходная емкость | 10pF |
| Thermal resistance case sink | 0.5°C/W |
| Total switching loss 25c max | 196µJ |
| Turn off switching loss 175c | 120µJ |
| Описание (англ.) | IGBT 600V 8A 56W TO220AB |
| Diode forward voltage 25c max | 2.30V |
| Peak reverse recovery current | 11A |
| Clamped inductive load current | 16A |
| Gate emitter voltage transient | ±30V |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Turn on switching loss 25c max | 77µJ |
| Gate emitter voltage continuous | ±20V |
| Turn off switching loss 25c max | 118µJ |
| Reverse bias safe operating area | FULL SQUARE |
| Gate threshold voltage temp coeff | -18mV/°C |
| Short circuit safe operating area | 5µs |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 80°C/W |
| Collector emitter leakage current 25c | 1µA |
| Thermal resistance junction case igbt | 2.70°C/W |
| Collector emitter leakage current 175c | 280µA |
| Thermal resistance junction case diode | 6.30°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?