+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRFZ46NPBF
Документация

Транзистор IRFZ46NPBF

Артикул:121437
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
Ед. изм.шт
У поставщиков
1 365 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 365 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 9 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 138,92
от 1937,81
от 3736,26
от 10034,01
от 15031,44
Описание

Транзистор IRFZ46NPBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET в корпусе TO-220AB. Рассчитан на напряжение до 55 В и постоянный ток до 53 А, имеет низкое сопротивление открытого канала 16,5 мОм. Подходит для импульсных источников питания, преобразователей и силовой электроники в промышленной автоматике.

Технические характеристики
ПримечанияLead-Free, Advanced HEXFET® Power MOSFET
КорпусTO-220AB
Макс. Vds55V
Макс. Vgs±20V
Тип монтажаTHT
V(BR)DSS55V
Время спада57ns
Ток стока импульсный180A
Время нарастания76ns
Rds(вкл) макс.16.5mΩ
Vgs порог макс.4.0V
Vgs порог мин.2.0V
Момент затяжки10 lbf·in (1.1N·m)
Idss leakage 25c25µA
Макс. темп. хр.175°C
Мин. темп. хр.-55°C
Лавинный ток28A
Ток стока непрерывный 25C53A
Idss leakage 150c250µA
Непрерывный ток 100°C37A
Soldering temp 10s300°C
Время задержки включения14ns
Время задержки выключения52ns
V br dss temp coeff0.057V/°C
Forward turn on timenegligible
Igss forward leakage100nA
Igss reverse leakage-100nA
Total gate charge qg72nC
Gate drain charge qgd26nC
Макс. рассеиваемая мощность107W
Gate source charge qgs11nC
Input capacitance ciss1696pF
Коэффициент снижения мощности0.71W/°C
Output capacitance coss407pF
Diode forward voltage vsd1.3V
Internal drain inductance4.5nH
Пиковое dv/dt восстановления диода5.0V/ns
Pulsed source current ism180A
Reverse recovery time trr67ns (typ), 101ns (max)
Internal source inductance7.5nH
Operating junction temp max175°C
Operating junction temp min-55°C
Энергия лавины11mJ
Reverse recovery charge qrr208nC (typ), 312nC (max)
Continuous source current is53A
Крутизна19S
Энергия одиноч. импульса583mJ
Тепл. сопр. корпус-рад.0.50°C/W
Reverse transfer capacitance crss110pF
Тепл. сопр. переход-корпус1.4°C/W
Термосопротивление переход-среда62°C/W