Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 150Вт, 0.028 Ом
У поставщика
ПроизводительVishay
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
445 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:445 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 119,29 |
| от 19 | 111,07 |
| от 38 | 104,35 |
| от 100 | 99,35 |
| от 150 | 95,61 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Vishay. Работает при напряжении до 60 В, выдерживает ток до 50 А и мощность 150 Вт, сопротивление открытого канала — всего 0,028 Ом. Выполнен в стандартном корпусе TO-220AB. Подходит для импульсных источников питания, преобразователей напряжения и схем управления двигателями.
Технические характеристики
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 45ns |
| Время нарастания | 92ns |
| Описание | N-Channel Power MOSFET |
| Артикул | IRFZ44PBF |
| Соотв. RoHS | Да |
| Момент затяжки | 1.1N·m |
| Заряд сток-затвор | 25nC |
| Вх. емкость | 1900pF |
| Полный заряд затвора | 67nC |
| Body diode voltage | 2.5V |
| Заряд затвор-исток | 18nC |
| Выходная емкость | 920pF |
| Время задержки включения | 14ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 45ns |
| Напряжение сток-исток | 60V |
| Импульсный ток стока | 200A |
| Коэффициент снижения мощности | 1.0W/°C |
| Макс. темп. хр. | 175°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Прямая крутизна | 15S |
| Internal drain inductance | 4.5nH |
| Maximum power dissipation | 150W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.5V/ns |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Internal source inductance | 7.5nH |
| Пиковая температура пайки | 300°C |
| Длительный ток стока 25°C | 50A |
| Pulsed diode forward current | 200A |
| Обратная проходная емкость | 170pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Непрерывный ток стока 100°C | 36A |
| Энергия одиноч. импульса | 100mJ |
| Case to sink thermal resistance | 0.50°C/W |
| Body diode reverse recovery time | 120ns |
| Drain source on state resistance | 0.028Ω |
| Body diode reverse recovery charge | 0.53nC |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Zero gate voltage drain current max | 25μA |
| Zero gate voltage drain current 125c | 250μA |
| Continuous source drain diode current | 50A |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.0°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 62°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?