Документация
Транзистор IRFZ44NPBF
В наличии
На своём складе
1 158 шт.
Норм. уп.: 1
У поставщиков
2 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 21,43 |
| от 20 | 20,87 |
| от 40 | 20,30 |
| от 80 | 19,74 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:2 шт
Срок поставки: до 2 недель
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 10 | 21,43 |
| от 20 | 20,87 |
| от 40 | 20,30 |
| от 80 | 19,74 |
Описание
Полевой транзистор IRFZ44NPBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET. Работает при напряжении до 55 В и токе до 49 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и силовой электронике.
Технические характеристики
| I s | 49A |
| L d | 4.5nH |
| L s | 7.5nH |
| Q g | 63nC |
| T f | 45ns |
| T j | -55 to +175°C |
| T r | 60ns |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| E ar | 9.4mJ |
| E as | 530mJ |
| G fs | 19S |
| I ar | 25A |
| I sm | 160A |
| Q gd | 23nC |
| Q gs | 14nC |
| Q rr | 170nC typ, 260nC max |
| T on | negligible |
| T rr | 63ns typ, 95ns max |
| V gs | ±20V |
| V sd | 1.3V |
| C iss | 1470pF |
| C oss | 360pF |
| C rss | 88pF |
| Dv dt | 5.0V/ns |
| I dss | 25µA at 25°C, 250µA at 150°C |
| T stg | -55 to +175°C |
| V dss | 55V |
| T d on | 12ns |
| P d 25c | 94W |
| Корпус | TO-220AB |
| R ds on | 17.5mΩ |
| R th cs | 0.50°C/W |
| R th ja | 62°C/W |
| R th jc | 1.5°C/W |
| T d off | 44ns |
| V gs th | 2.0V to 4.0V |
| Тип монтажа | Выводной |
| V(BR)DSS | 55V |
| Время спада | 45 ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 60 ns |
| I d pulsed | 160A |
| Технология | HEXFET |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRFZ44NPBF |
| Datasheet id | PD-94787B |
| Производитель | International Rectifier |
| I gss forward | 100nA |
| I gss reverse | -100nA |
| Способ монтажа | THT |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Лавинный ток | 25A |
| Заряд сток-затвор | 23 nC |
| Вх. емкость | 1470 pF |
| Полный заряд затвора | 63 nC |
| Заряд затвор-исток | 14 nC |
| I d continuous 25c | 49A |
| Выходная емкость | 360 pF |
| Время задержки включения | 12 ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| I d continuous 100c | 35A |
| Время задержки выключения | 44 ns |
| V br dss temp coeff | 0.058V/°C |
| Напряжение сток-исток | 55V |
| Импульсный ток стока | 160A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Схема монтажных отверстий | 6-32 or M3 screw |
| Раб. температура | 175°C max junction |
| Pulsed source current | 160A |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Коэффициент снижения мощности | 0.63 W/°C |
| Прямая крутизна | 19 S |
| On resistance conditions | Vgs=10V, Id=25A |
| Power dissipation at 25c | 94W |
| Continuous source current | 49A |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 5.0 V/ns |
| Макс. время обрат. восстановления | 95 ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 4.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 2.0V |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100 nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100 nA |
| Энергия лавины | 9.4 mJ |
| Reverse recovery charge max | 260 nC |
| Обратная проходная емкость | 88 pF |
| Reverse recovery time typical | 63 ns |
| Continuous drain current at 25c | 49A |
| Reverse recovery charge typical | 170 nC |
| Тепл. сопр. корпус-рад. | 0.50 °C/W |
| Continuous drain current at 100c | 35A |
| Static drain source on resistance | 17.5 mΩ |
| Drain source leakage current at 25c | 25 µA |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 1.5 °C/W |
| Drain source leakage current at 150c | 250 µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Single pulse avalanche energy typical | 530 mJ |
| Термосопротивление переход-среда | 62 °C/W |
| Single pulse avalanche energy calculated | 150 mJ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?