+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IRFZ44NPBF
Документация

Транзистор IRFZ44NPBF

Артикул:94982
В наличии
ПроизводительInfineon
Ед. изм.шт
На своём складе
1 558 шт.
Норм. уп.: 50
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 50
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1018,41
от 2017,89
от 4017,38
от 8016,99
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:2 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 50
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1018,41
от 2017,89
от 4017,38
от 8016,99
Описание

Полевой транзистор IRFZ44NPBF от Infineon — мощный N-канальный MOSFET. Работает при напряжении до 55 В и токе до 49 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и силовой электронике.

Технические характеристики
Типполевые (FETs, MOSFETs)
Время спада45 ns
Без свинцаДа
Время нарастания60 ns
ТехнологияHEXFET
АртикулIRFZ44NPBF
Datasheet idPD-94787B
ПроизводительInternational Rectifier
Тип упаковкиTO-220AB
Способ монтажаTHT
Момент затяжки10 lbf·in (1.1 N·m)
Лавинный ток25A
Заряд сток-затвор23 nC
Вх. емкость1470 pF
Полный заряд затвора63 nC
Заряд затвор-исток14 nC
Выходная емкость360 pF
Время задержки включения12 ns
Напряжение затвор-исток±20V
Время задержки выключения44 ns
Напряжение сток-исток55V
Импульсный ток стока160A
Напр. диода1.3V
Схема монтажных отверстий6-32 or M3 screw
Pulsed source current160A
Температура пайки300°C for 10 seconds
Коэффициент снижения мощности0.63 W/°C
Прямая крутизна19 S
On resistance conditionsVgs=10V, Id=25A
Power dissipation at 25c94W
Continuous source current49A
Пиковое dv/dt восстановления диода5.0 V/ns
Макс. время обрат. восстановления95 ns
Диап. темп. хр.-55 to +175°C
Пороговое напряжение затвора макс.4.0V
Пороговое напряжение затвора мин.2.0V
Прямой ток утечки затвор-исток100 nA
Обратный ток утечки затвор-исток-100 nA
Энергия лавины9.4 mJ
Reverse recovery charge max260 nC
Обратная проходная емкость88 pF
Reverse recovery time typical63 ns
Continuous drain current at 25c49A
Reverse recovery charge typical170 nC
Тепл. сопр. корпус-рад.0.50 °C/W
Continuous drain current at 100c35A
Static drain source on resistance17.5 mΩ
Drain source leakage current at 25c25 µA
Тепл. сопр. переход-корпус1.5 °C/W
Drain source leakage current at 150c250 µA
Диапазон темп. перехода-55 to +175°C
Single pulse avalanche energy typical530 mJ
Термосопротивление переход-среда62 °C/W
Single pulse avalanche energy calculated150 mJ